VFD顯示模塊128S64AA1及其應用

引言

目前，智能儀表常用的顯示設備有發光二極管顯示器LED、液晶顯示器LCD等，但是由于LED不能顯示復雜字符、LCD不宜在暗室中使用的缺點，無法滿足智能儀表對顯示的更高求；而真空熒光顯示屏VFD具有亮度高、可調節、顯示圖案靈活的優點，在智能儀表中得到了廣泛的應用。本文以Samsung公司的128S64AA1VFD顯示模塊為例，介紹在基于51系列單片機的智能儀表中的應用。

1 顯示模塊的結構以及與單片機的接口

1.1 128S64AA1的基本結構

該模塊提供有128×64點陣，包括VFD顯示屏、VFD驅動電路、DC/DC轉換器以及顯示控制器；供電電壓是12V，邏輯電壓是5V；亮度可以由軟件來控制。

其接線端子有供電端和接口端兩個，外部接口簡單易用，30根接口線的功能分別為：8根數據線D0～D7和于傳輸數據及亮度控制信號；11根地址線用于指定數據寫入地址，其中A0～A7指定列數，A8～A10指定行數；9根控制線中，BRAD為選擇寫數據模式與亮度控制模式，WRITE為寫控制信號，READY為模塊寫數據允許，CLEAR為清屏信號，DSPE為顯示允許信號，WP為選擇寫數據頁數，DP為顯示頁數；2根地線為從電池和邏輯地。

1.2 128S64AA1與單片機的接口

128S64AA1模塊與51系列單片機的接口，其中P1口作為VFD所需的控制線，P0和P2作為地址線和數據線。

2 顯示模塊的控制和操作

該模塊有清空方式（Clear Mode）、寫數據方式（Write Mode）和亮度控制方式（Dimming Mode）三種工作方式，對應的操作時序清晰示意了三種工作方式下對VFD模塊的控制和操作過程。

（1）清空方式

將CLEAR端置低電平，此時由WP0和WP1所選擇的RAM清空。當清空完畢時，READY輸出低電平。此方式的優先級最高，即使READY的輸出為1，RAM仍波清空。

用C51實現的RAM清空的函數為：

void VFD_clear(void)

{P1^2=0; //置清空RAM模式

P1^2=1；

P1^1=0；

do {}

while(P1^1==1); //等待清空響應

}

（2）寫數據方式

當DSPE為高電平，BRAD為高電平時，通過寫操作可將待顯示的數據寫入由WP0和WP1所選擇的RAM；當數據寫入完畢，READY輸出低電平，此時可以繼續寫入下一個數據。在此工作方式中，為了使VFD內部的RAM按照行排列地址連續，以便于軟件編程，在實際設計時可將地址A8～A10接VFD的A0～A2，以用于選擇點陣的行數；而將地址線A0～A7接VFD的A3～A10，用于選擇點陣的列數。

在寫工作方式中，應包括以下幾個操作步驟：

①置寫數據模式；

②置顯示允許；

③選擇寫數據頁數；

④寫待顯示數據；

⑤選擇顯示頁數。

因此，可將實現此功能的C51程序設計如下：

void WrChar(uchar xdata *addr,uchar code *codename,uchar count)

//addr為字的起始地址，count為字符個數

{uint i=0;

uchar col;

for(col=0;colcount;col++){

*(addr++)=codeName[i++];

do {}

while(P1^1==1);

}