高壓LED基本結構及關鍵技術分解

最近幾年由于技術及效率的進步，LED的應用越來越廣；隨著LED應用的升級，市場對于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通稱的高功率LED方向發展。

　　對于高功率LED的設計，目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主，做法有二，一為傳統水平結構，另一則為垂直導電結構。就第一種做法而言，其u程和一般小尺寸晶粒幾乎相同，換句話說，兩者的剖面結構是一樣的，但有別于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大電流之下，一點點不平衡的P、N電極設計，都會導致嚴重的電流叢聚效應(Current crowding)，其結果除了使得LED晶片達不到設計所需的亮度外，也會損害晶片的可靠度(Reliability)。

　　當然，對上游晶片u造者／晶片廠而言，此作法u程相容性(Compatibility)高，無需再添購新式或特殊機臺，另一方面，對于下游系統廠而言，L邊的搭配，如電源方面的設計等等，差異并不大。但如前所述，在大尺寸LED上要將電流均勻擴散并不是件容易的事，尺寸愈大愈困難；同時，由于幾何效應的關S，大尺寸LED的光萃取效率往往較小尺寸的低。

圖：低壓二極體、交流二極體及高壓二極體驅動方式的差異。

　　第2種做法較第1種復雜許多，由于目前商品化的藍光LED幾乎都是成長于藍寶石基板之上，要改為垂直導電結構，必須先和導電性基板做接合之后，再將不導電的藍寶石基板予以移除，之后再完成后續u程；就電流分布而言，由于在垂直結構中，較不需要考慮橫向傳導，因此電流均勻度較傳統水式峁刮佳；除此之外，就基本的物理塬理而言，導電性良好的物質也具有高導熱的特質，藉由置換基板，我們同時也改善了散熱，降低了接面溫度，如此一來便間接提高了發光效率。但此種做法最大的缺點在于，由于u程復雜度提高，導致良率較傳統水平結構低，u作成本高出不少。

　　高壓發光二極體(HV LED)基本結構及關鍵技術

晶元光電于全球率先提出了高壓發光二極體(HV LED)作為高功率LED的解決方案；其基本架構和AC LED相同，乃是將晶片面積分割成多個cell之后串聯而成。其特色在于，晶片能夠依照不同輸入之電壓的需求而決定其cell數量與大小等，等同于做到客u化的服務。由于可以針對每顆cell加以優化，因此能夠得到較佳的電流分布，進而提高發光效率。

　　高壓發光二極體和一般低壓二極體在技術上最主要的差異有叁，第一為溝槽(Trench)。溝槽的目的在于將復數顆的晶胞獨立開來，因此其溝槽下方需要達到絕緣的基板，其深度依不同的外延結構而異，一般約在4~8um，溝槽寬度方面則無一定的限制，但是溝槽太寬代表著有效發光區域的減少，將影響HV LED的發光效率表現，因此需要開發高深寬比的u程技術，縮小u程線寬以增加發光效率。