Local Dimming LED TV 背光驅(qū)動(dòng)整體方案

目前，液晶電視的使用越來(lái)越廣泛，在人們的日常生活中占據(jù)越來(lái)越重要的位置，而其消耗的能量也越來(lái)越引起人們的關(guān)注。因此，各個(gè)電視、液晶廠商都投入極大的物力、人力、財(cái)力加大研發(fā)力量去降低功耗，從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)上來(lái)說(shuō)，如何降低背光的功耗最受到關(guān)注。因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.104case.com/news/listbylabel/label/背光">背光源是最大的能量消耗者，降低了背光的功耗，也就大大降低了整機(jī)的功耗。這其中的技術(shù)包括改善背光源的驅(qū)動(dòng)電路，改善LED的發(fā)光效率，開(kāi)發(fā)新的LED種類，目前，Local Dimming是這些技術(shù)中最易于實(shí)現(xiàn)，效果最明顯的一項(xiàng)技術(shù)。尤其是直下式LED背光搭配Local Dimming技術(shù)，可大幅度降低電量、提高顯示畫(huà)面對(duì)比值、灰階數(shù)、及減少殘影等。

1. Local Dimming BLU概述

Local Dimming即局部背光調(diào)節(jié)的意思，利用數(shù)百個(gè)LED組成的背光代替CCFL背光燈，背光LED可根據(jù)圖像的明暗進(jìn)行調(diào)節(jié)，顯示幕圖像中高亮的部分的亮度可以達(dá)到最大，而同時(shí)黑暗的部分可以降低亮度，甚至關(guān)閉，以達(dá)到最佳的對(duì)比度。這樣，暗區(qū)亮度的降低就降低了背光的功耗。Local Dimming廣義而言，大致可分為三大類，分別為0D、1D、2D dimming,其中，2D dimming能將local dimming的技術(shù)發(fā)揮到最佳效果。從下圖可看出local dimming和非local dimming在能耗上和對(duì)比度上的差別。

2. 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

基于MCU的loacl dimming方案由三個(gè)部分組成，分別是FPGA或SOC,MCU和LED Driver IC,SOC采集圖像信號(hào)并通過(guò)SPI接口發(fā)送資料給MCU,MCU進(jìn)行資料處理后再通過(guò)SPI控制1個(gè)或多個(gè)LED Driver.

3. SAC Demo Board的結(jié)構(gòu)框圖

SAC的方案是將DC-DC部分，MCU和LED Driver置于同一套板上，DC-DC可根據(jù)燈串電壓的不同要求進(jìn)行升壓或降壓，MCU采用Cortex M0 32位高性價(jià)比MCU,LED Driver采用AMS的AS3695C,DC-DC為24升壓到50V,具體要升到多高的電壓根據(jù)所接LED的總電壓，因?yàn)锳S3695C可驅(qū)動(dòng)16路通道，有兩路回饋，因此每8路通道為一個(gè)回饋，需要兩組DC-DC電路。

方案框圖：

方案BOM表（每16通道）

4. 各主要元器件特點(diǎn)

AS3695C特點(diǎn)：

●可驅(qū)動(dòng)16通道的LED

●輸出電壓30V,外置MOSFET,驅(qū)動(dòng)電流由MOSFET決定

●電流精度高達(dá)+/-0.5%

●集成SPI接口

●具有開(kāi)短路、過(guò)溫檢測(cè)和保護(hù)動(dòng)作

Cortex M0 單片機(jī)特點(diǎn)：

●Cortex-M0內(nèi)核，高達(dá)50MHz的主頻，高達(dá)40個(gè)I/O口

●2-8K SRAM,32K Flash

●2 SPI,最高速率可達(dá)25MHz

●極低的功耗，更快的處理速度，僅相當(dāng)于8位元MCU的價(jià)格

MAP5201

●專門為L(zhǎng)ED TV 背光驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)

●寬電壓輸入范圍，最高至36V

●支援升壓（Boost）和降壓（Buck）兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

●內(nèi)部集成1A MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

●開(kāi)關(guān)頻率可程式設(shè)計(jì)，最大500Khz

●輸出短路保護(hù)電路

●獨(dú)立控制的雙路DC-DC輸出。

MDD1903

●N溝道MOSFET

●耐壓100V

●ID =11A @VGS =10V

●RDS（ON） 120mΩ @VGS = 10V