無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

作者：時(shí)間：2009-08-26 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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IR2130芯片可同時(shí)控制6個(gè)大功率管的導(dǎo)通和關(guān)斷順序，通過(guò)輸出H01～H03分別控制三相全橋驅(qū)動(dòng)電路的上半橋Q1，Q3，Q5導(dǎo)通關(guān)斷；而 IR2130的輸出L01～L03分別控制三相全橋驅(qū)動(dòng)電路的下半橋Q4，Q6，Q2導(dǎo)通關(guān)斷，從而達(dá)到控制電機(jī)轉(zhuǎn)速和正反轉(zhuǎn)的目的。IR2130芯片內(nèi)部有電流比較電路，可以進(jìn)行電機(jī)比較電流的設(shè)定。設(shè)定值可以作為軟件保護(hù)電路的參考值，這樣可以使電路能夠適用于對(duì)不同功率電機(jī)的控制。IR2130的典型電路如圖1所示。

本文引用地址：http://www.104case.com/article/163619.htm


三相全橋逆變電路選用6個(gè)功率MOSFETRFP40N10、一片IR2130和一些電阻電容而組成。其主要特點(diǎn)為： (1)驅(qū)動(dòng)芯片IR2130內(nèi)置了2．5μs的死區(qū)時(shí)間；防止同一橋臂的上下兩個(gè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通，使電源電壓短路，電源不通過(guò)電動(dòng)機(jī)。這避免了功率驅(qū)動(dòng)電路在硬件系統(tǒng)上電瞬間IR2130的誤輸出。 (2)功率驅(qū)動(dòng)電路采用上橋臂功率MOSFET管進(jìn)行PWM調(diào)制的方式控制。在調(diào)制過(guò)程中，自舉電容只有在高端器件(上橋臂MOSFET管)關(guān)斷時(shí)，VS的電位被拉到功率地時(shí)自舉電容才被充電。因此，同一橋臂上的下橋臂器件開(kāi)通時(shí)間(上橋臂器件關(guān)斷時(shí)間)應(yīng)足夠長(zhǎng)，以保證自舉電容的電荷被充滿(mǎn)，當(dāng)上橋臂開(kāi)通時(shí)維持上橋臂有足夠的時(shí)間導(dǎo)通。 (3)由于功率驅(qū)動(dòng)電路的上橋臂三路高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電源是通過(guò)自舉電容充電來(lái)獲得的，因此與IR2130供電電源連接的二極管，其反向耐壓必須大于被驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET管工作的峰值母線(xiàn)電壓。為了防止自舉電容兩端的放電，二極管要選用高頻的快恢復(fù)二極管，功率驅(qū)動(dòng)電路選用FR104，它的最大反向恢復(fù)時(shí)間為150 ns，最大反向耐壓400 V。上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè) <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=114&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a7a83b30' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img 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三相全橋逆變電路選用6個(gè)功率MOSFETRFP40N10、一片IR2130和一些電阻電容而組成。其主要特點(diǎn)為：
(1)驅(qū)動(dòng)芯片IR2130內(nèi)置了2．5μs的死區(qū)時(shí)間；防止同一橋臂的上下兩個(gè)MOSFET同時(shí)導(dǎo)通，使電源電壓短路，電源不通過(guò)電動(dòng)機(jī)。這避免了功率驅(qū)動(dòng)電路在硬件系統(tǒng)上電瞬間IR2130的誤輸出。
(2)功率驅(qū)動(dòng)電路采用上橋臂功率MOSFET管進(jìn)行PWM調(diào)制的方式控制。
在調(diào)制過(guò)程中，自舉電容只有在高端器件(上橋臂MOSFET管)關(guān)斷時(shí)，VS的電位被拉到功率地時(shí)自舉電容才被充電。因此，同一橋臂上的下橋臂器件開(kāi)通時(shí)間(上橋臂器件關(guān)斷時(shí)間)應(yīng)足夠長(zhǎng)，以保證自舉電容的電荷被充滿(mǎn)，當(dāng)上橋臂開(kāi)通時(shí)維持上橋臂有足夠的時(shí)間導(dǎo)通。
(3)由于功率驅(qū)動(dòng)電路的上橋臂三路高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電源是通過(guò)自舉電容充電來(lái)獲得的，因此與IR2130供電電源連接的二極管，其反向耐壓必須大于被驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET管工作的峰值母線(xiàn)電壓。為了防止自舉電容兩端的放電，二極管要選用高頻的快恢復(fù)二極管，功率驅(qū)動(dòng)電路選用FR104，它的最大反向恢復(fù)時(shí)間為150 ns，最大反向耐壓400 V。

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