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        工作頻帶為0.1~1GHz的FM/FSK發(fā)射器WE800

        作者: 時間:2005-02-15 來源:網絡 收藏

        是WinEdge Electronics公司生產的單片芯片,可在100~1000MHz范圍,其中包括902~928MHzISM。該芯片內含一個直接FM調制VCO(壓控振蕩器)、一個鎖相環(huán)(PLL)和一個RF(射頻)功率放大器(PA)。可為無線電設計者提供一個具有最少外部元件數和小PCB尺寸的解決方案。其頻率設置和功率管理功能可通過標準的3線串行接口來完成。

        是寬帶調頻,能直接完成調制,其RF輸出功率為+1.5dBm,電源電壓為2.7~3.3V,并具有可編程的3線串行接口和小的待機電流。WE800采用QSOP-16封裝,可以應用在模擬/數字900MHz無繩電話、遙測技術/數據無線電及ISM(902~928MHz)的無線語音/數字產品中。

        1 WE800的引腳功能

        WE800采用QSOP-16封裝,引腳排列如圖1所示。

        2 WE800的內部結構與原理

        WE800的內部結構如圖2所示。WE800內部包含一個調制輸入電路、一個PLL合成器/VCO和一個可為50Ω負載提供+1.5dBm輸出功率的RF功率放大器。

        3 WE800應用電路設計

        WE800的典型應用電路如圖3所示。該電路中發(fā)射電路的頻帶與VCO諧振回路的線圈有關。VCO電感線圈和VCO中心頻率之間的關系如下:

        L=1/[(2πfr)2Cr]-LP-LPCB

        式中:L是VCO的外部電感;LP是QSOP封裝的寄生電感,約2.6nH;LPCB是 PCB導線的寄生電感,約1 nH;fr是發(fā)射頻率。

        在915MHz時,CT為4.6PF,它是TVCO總的內部電容,包括芯片內部的變容二極管電容、內部微調電容、QSOP封裝的寄生電容。發(fā)射頻率為434MHz時,CT大約是6PF。

        WE800的應用領域是超高頻(UHF)RF電路,在設計超高頻(UHF)RF電路時要細心注意PCB印制電路板,應保證最小感應系數和電容效應以保護WE800的RF靈敏度。在高頻率時,必須應用微帶或是波導傳輸線技術。PCB板必須采用標準FR-4玻璃纖維PCB材料制成,電路印制板應為2層PCB。

        圖2

        WE800的所有電源引腳必須分路連接到RF的模擬或數字接地平面。對于RF電源引腳,應采用一個1.0nF的高頻瓷介電容和100pF瓷介電容器去耦。而模擬和數字電源引腳也應采用0.01~μFRF電容器去耦。去耦電容器應盡可能放置在靠近電源的地方。

        此外,還應將整體的RF模擬接地處放置在RF電路周圍,而整體數字接地則應放置在基準振蕩器周圍。同時還應盡可能地使數字信號與發(fā)射的模擬信號有正確的角度交叉。所有接地引腳均應接到一個低阻抗接地平面,并應盡可能的接近元器件。

        利用WERFiC軟件可以通過PC機編程控制WE800,WERFiC軟件可以從www.winedge.com下載。




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