利用稀布設計低成本單脈沖天線
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滿陣可實現對應加權的最大副瓣電平。由于稀布的影響，稀布陣的和差波束的副瓣電平與滿陣相比明顯抬高，最大副瓣電平約為一25 dB。依據此設計，考慮了加工及饋電的相關誤差后仍可滿足設計副瓣電平的設計要求。兩個面差波束的零深均超過一50 dB，也滿足設計要求。滿陣的和波束寬度約為1．49°，而稀布陣的波束寬度在1．47°左右，與滿陣接近，符合設計要求。由于稀布陣單元的間距足夠小，掃描范圍指標符合要求。對稀布陣的方向圖進行全空域積分，得到的方向性是41．1 dB，扣除輻射單元的損耗后可滿足要求。而相控陣天線的成本主要由T／R的成本決定，該稀布陣方案使系統成本下降了20％。
3 結 語
采用稀布的方法設計了一個低成本單脈沖相控陣天線。該方法基于稀布陣面上加圓口徑Taylor權和圓口徑Bayliss權實現和差波束。通過比較該方法的結果與滿陣加相同權的仿真結果發現二者僅在增益和副瓣電平上有較大的差別。如果設計要求強調分辨率，著重波束寬度指標，而對增益和副瓣電平指標不做過高要求(如本例)，那么該方法具有合理性。實際上，提供了一個低成本單脈沖相控陣天線的解決方案。
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