場效應管及其在DX中波發射機中的應用

2．4 功率MOS管在整流柜放電回路的應用
DX-600中波發射機的單個200PB整流柜的主整功放電壓雖然不高(250V)，主整濾波電容由55只5100μF的電容分散并聯組成，而且每只電容都并聯了75kΩ的放電電阻，但其總體電容依然較大，
C=55x5100x10-6=0．2805(F)
相對于250V的儲能為：
1／2(CU2)=1／2(0．2805x2502)=8765(J)
這還不包括120μH主整濾波電感、驅動級電容、二進制電容的儲能，所以說從安全的角度考慮，如果在關機后不把儲能迅速瀉放，特別是處理故障時，對于維護人員來說具有相當大的隱患。所以HARRIS公司采用了如圖5所示的放電電路，主要由IR生產的4只IRFP360功率MOS管Q1、Q2、Q3、Q4和與其相串聯的大功率電阻R13、R14、R15、R16組成，當發射機工作時，均不導通；關機后，來自電源控制板的控制信號將控制電壓加到每只場效應管的柵極上，MOS場效應管開通，將主整和驅動級(包括二進制)電源的儲能完全瀉放在四個電阻上，達到保護設備、維護人身安全的作用。

圖5為放電回路早期圖紙，該公司設計人員采用的100W10Ω(R13、R14、R15、R16)的放電電阻在實際使用中，會經常有IRFP360管子損壞、放電電阻燒毀的情況發生。后來HARRIS公司將其全部更換為250W40Ω后再無類似情況出現。
2．5 功率MOS管在其它地方的應用
DX-600中波發射機中功率MOS管的應用位置非常多，比如PB200射放的前級一緩沖級由4支IRL510功率MOS管兩兩構成兩組推挽電路，一主一備各自完成將4～4．5Vp-p射頻激勵信號放大至15Vp-p的信號去推動驅動級(與RF 3XL射放模塊相同電路)。在PB200功放單元的B+／B-開關電源中，輸出可達65A的B-電源由四只IRFP448功率MOS管提供，輸出20A的B+電源由兩支Motorola生產的N型EMOS (Motorola稱為TMOS)功率管MTW8N5E提供。其它功率MOS管應用的地方還有很多，在此不再一一列舉。

3 結束語
由此可見，場效應管因為它速度快、功耗低、抗干擾等優點，在中波射放系統中得到了廣泛的應用，特別是IR公司功率MOS管的出現及在DX中波發射機中的大量使用(DX-10中波機射放系統的模塊采用IRFP350功率MOS管)，使電子管完全退出了中波發射機，引領現代廣播發射設備發生了深刻的變革。