L波段200MHz帶寬LNA設計

設計中采用的基板是厚度為1 mm，相對介電常數為2.7的F4B介質板。第一級放大電路的設計根據ATF54143的小信號S參數計算出放大器中心頻率的輸入、輸出阻抗，輸入阻抗Zin=50×(0.999+j3.928E-4)，輸出阻抗Zout=50×(1.017+j0.064)，采用共軛匹配的方法，即ZS=Z*in，ZL=Z*out，從而進行輸入和輸出匹配電路的設計，并采用ADS軟件對設計的匹配網絡微帶電路尺寸進行優化、仿真。

放大器的噪聲系數頻率響應如圖4所示，從圖中可以看出放大器的噪聲系數在中心工作頻率大約為0.6dB;圖5為放大器增益/頻率曲線，可以看出，設計的第一級放大器增益在工作頻率范圍內大于10dB。

放大器的噪聲系數頻率響應

放大電路第二級的MGA86576由于本身就是一個內匹配的增益模塊，可直接與第一級進行級聯。但為了減小輸入/輸出回波損耗，所以在此級放大電路加入了匹配電路的設計，步驟與第一級類似，級間用電容相連。

仿真結果

電路設計完成后，使用ADS軟件對設計的低噪聲放大器進行仿真，其中，圖6為低噪聲放大器的噪聲系數仿真結果，可以看出在1.90GHz～2.10GHz頻段中噪聲系數NF≤0.67dB;圖7為低噪聲放大器的增益特性頻率響應，在2.0GHz頻點上，增益大約為38dB;圖8為整個低噪聲放大器的輸入、輸出回波損耗頻率響應，其中的虛線是輸入回波損耗，實線是輸出回波損耗，在整個工作頻段內輸入回波損耗小于-15dB，輸出回波損耗小于-22dB。

結語

本文介紹了一種采用源極串聯負反饋提高低噪聲放大器穩定性的方法，并設計了一個中心頻率為2GHz、帶寬為200MHz的L波段低噪聲放大器，仿真結果表明，源極串聯負反饋可以提高放大器的低頻穩定性。