新聞中心

        EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計應(yīng)用 > 一種嵌入式高性能比較器

        一種嵌入式高性能比較器

        作者: 時間:2010-01-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        圖 3 為其仿真波形, 兩個輸入在時鐘為低電平時各為其值,當(dāng)時鐘轉(zhuǎn)換成高電平時兩者相等。


        2.2 第二級器的結(jié)構(gòu)

        器 2 與器1 的結(jié)構(gòu)基本相同,差別只是在第一級運放的輸入和輸出之間加入了 開關(guān)。當(dāng)控制時鐘為低電平時,比較器輸出與異端輸入端接,進(jìn)行失調(diào)校準(zhǔn)。 假設(shè)開關(guān) S1,S2注入到電容上的電荷失配量為△Q ,C1=C2=C,則剩余的輸入失調(diào) / OS V ∝ ΔQ C 由此可見,增大C 可以減小剩余失調(diào)電壓,但是,增大C 會延長復(fù)位和輸出建立時間, 而且會增大面積,于是我們折中考慮,選取C=544.5fF[5]。這一級放大器的增益為13。

        2.3 第三級比較器的結(jié)構(gòu)

        該級比較器仍是由兩級運放構(gòu)成。第一級運放通過采用柵極交叉的弱正反饋結(jié)構(gòu)、優(yōu)化 管子的寬長比,提高了原有電路的增益,但其代價是減小了帶寬。本級放大器的增益為730。 第二級運放使用鏡像電路形成單端輸出。

        3 結(jié)果分析

        3.1 整體仿真

        本文所論及的比較器采用 SIMC 0.25μm CMOS 工藝模型,選取電源電壓為2.5V,時鐘 周期為250ns,并且使用Hspice 進(jìn)行瞬態(tài)仿真。設(shè)定Vref=1.25V,Vin 每50ns 變化一次,分別為1.2498V,1.2502V,1.25V,1.2502V,1.2498V,其中當(dāng)0~50ns 時鐘為高電平時,比 較器處于失調(diào)校準(zhǔn)階段。仿真圖4:



        3.2 功耗分析

        整個比較器的瞬態(tài)電流值見圖 5,由圖可知,在時鐘信號跳變時,會給瞬態(tài)電流一個較 大的沖擊,因此降低時鐘的轉(zhuǎn)換速率可降低功耗。同時功耗是電壓和電流的乘積,降低電源 電壓也能達(dá)到降低功耗的目的。綜合考慮,本設(shè)計采用占空比為1/5、周期為250ns 的時鐘 信號和2.5V 的電源電壓。另外,本設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單,減少了有效MOS 管的數(shù)量,這也是降 低功耗的又一大因素。通過使用 Cadence 的計算工具的到平均電流為3.23μA,功耗為8μW。


        4 結(jié)論

        本文作者的創(chuàng)新點是,將六級比較器級聯(lián),其中前三級是帶有柵極交叉正反饋的兩級運 算放大器,將信號迅速放大,縮短建立時間;整個電路結(jié)構(gòu)簡單,所占面積小;經(jīng)過綜合考 慮,本設(shè)計采用了周期為250ns 的時鐘信號和2.5V 的電源電壓,大幅度的減低功耗;引入 了輸入失調(diào)校準(zhǔn)(IOS)、輸出失調(diào)校準(zhǔn)(OOS)混合的校準(zhǔn)技術(shù)和自清零技術(shù),提高比較 器精度。該比較器滿足10bit 逐次逼近A/D 轉(zhuǎn)換器高精度、中速、低功耗的性能要求。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/152113.htm
        linux操作系統(tǒng)文章專題:linux操作系統(tǒng)詳解(linux不再難懂)

        上一頁 1 2 下一頁

        關(guān)鍵詞: 比較 高性能 嵌入式

        評論


        相關(guān)推薦

        技術(shù)專區(qū)

        關(guān)閉
        主站蜘蛛池模板: 黎城县| 全州县| 阳江市| 西乡县| 阿瓦提县| 阿城市| 沾化县| 沙洋县| 霍山县| 福安市| 南乐县| 莱西市| 屏东市| 屯昌县| 永清县| 甘洛县| 静安区| 西安市| 盐山县| 汪清县| 郧西县| 黔江区| 沙田区| 乌拉特前旗| 渭南市| 武安市| 永嘉县| 万宁市| 南郑县| 资讯 | 方城县| 崇阳县| 天峻县| 松原市| 吉安市| 静海县| 黔南| 徐闻县| 桂东县| 呼伦贝尔市| 聊城市|