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        IR 推出D類音頻參考設計

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        作者: 時間:2006-07-03 來源: 收藏
         國際整流器公司(IR)近日推出IRAUDAMP3 D類音頻參考設計。這款全新的小型參考設計采用IRS20124S高壓模擬IC及IRF6645 DirectFET ®功率MOSFET,可實現無散熱器的120W 六通道半橋D類音頻功率放大器。 

          IR公司節能產品部副總裁譚仲能先生指出:“通過采用業界領先的功率MOSFETS對我們的D類音頻高壓集成電路進行優化,IRAUDAMP3能夠為我們的客戶提供顯著的性能和尺寸方面的優勢。” 

          集成了IRS20124S高壓集成電路的參考設計具有內部可選死區時間發生電路,可以防止噪聲和電源電壓波動,有助于在60W、4Ω的情況下實現0.01%的總諧波失真(THD),而在120W、4Ω單通道可實現94%的效率。此外,該集成電路還內置了雙電流感測和集成的關斷功能,在出現揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。 

          IRAUDAMP3的占板面積為4.5平方英寸,也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。創新的DirectFET封裝技術通過降低引線電感提高了開關性能,并降低了EMI噪聲,從而提高了D類音頻放大器電路的性能。其較高的熱性能有助于實現4Ω阻抗下的120W運行,而無需使用散熱器,這樣不僅縮小了電路尺寸,還為設計師作電路布局提供了更大的靈活性,降低了放大器系統的總體成本。 


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