燦芯研發出國際0.11微米和0.13微米工藝的USB 2.0 OTG PHY

　　國際領先的ASIC設計公司及一站式服務供應商，燦芯半導體(上海)有限公司(以下簡稱“燦芯半導體”)日前宣布基于中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981)的0.11微米和0.13微米工藝平臺成功開發了USB 2.0物理層設計(PHY),該設計為采用USB 2.0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更經濟的解決方案。燦芯半導體的USB 2.0物理層設計同時支持器件和主機應用的On-The-Go(OTG)規范。為了取得比競爭對手的產品擁有更小的芯片尺寸和更低的功耗，燦芯半導體的工程師們在PLL、I/O和其它模塊的設計上都做了極大的改善。該新的物理層設計結構也能加快USB物理層IP的開發用于中芯國際的更先進工藝制程。

　　“USB 2.0在SoC的設計中幾乎是必須的”，燦芯半導體總裁兼首席執行官職春星博士說，“作為專注于SoC平臺的設計服務公司，可靠的、自有的USB 2.0 IP是服務客戶的關鍵。隨著該技術的成功開發，我們現在已經擁有全系列的USB 2.0 IP”。

　　中芯國際商務長季克非表示：“我們很高興看到我們和燦芯半導體在USB 2.0物理層設計所取得的合作成果。對于大部分USB 2.0的應用，0.11微米和0.13微米仍是平衡各種因素最有利的工藝結點.現在中芯國際可以給客戶提供更多USB IP的選擇以便于客戶實現他們的設計”。