IDT推出低頻段RF混頻器

　　擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT^® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已新推出低頻段 RF 混頻器，該混頻器可通過在擁擠頻譜中為 4G LTE、3G 和 2G 系統減少互調失真增強用戶的移動連接體驗。IDT 新的 Zero-Distortion™ 基站收發信機(BTS)多樣混頻器可通過減少功耗改進系統三階互調失真(IM3)，針對移動通信(EGSM)頻率范圍涵蓋 450 MHz、長期演進(LTE)和擴展的全球系統。　　

　　IDT F1102 是一款低功耗、低失真的雙通道 400-1000 MHz RF 變頻到IF 混頻器，與標準混頻器相比，可改進 IM3 超過 15 dB，同時減少功耗超過 40%。這些性能品質可為改進服務品質(QoS)實現更好的信噪比(SNR)，同時減少散熱，從而在密集的射頻卡密封中降低散熱要求(5V 時 1.15W，高達 +43 dBm IP3O)。F1102 可提供無與倫比的性能與效率，是多載波、多模式4G LTE 和 EGSM BTS 系統的理想選擇。

　　IDT 公司副總裁兼通信部總經理 Tom Sparkman 表示：“在發現我們高頻段和低頻段混頻器優異的性能之后，客戶開始需要這款產品。我們的零失真技術可幫助客戶增加射頻卡的前端增益以改進 SNR，同時在擁擠的 EGSM 和 U.S. 蜂窩頻段中減少失真。憑借我們廣泛的高性能、低功耗可變增益放大器(VGA)產品組合，業界領先的計時、串行交換、數據轉換和數據壓縮產品，IDT 成為通信信號鏈解決方案的一站式提供商。”

　　F1102 與 IDT 其他混頻器產品系列一起，可在上電與下電模式下提供快速的建立時間和恒定的本機振蕩器(LO)輸入阻抗。這允許客戶在時分雙工(TDD)接收機插槽間關閉混頻器，從而進一步降低功耗。此外，IDTF1102 可支持高本振或低本振注入方式，與市場上現有器件管腳相容，從而提供令人信服的升級選擇。

　　供貨

　　IDT F1102 目前正向合格客戶提供樣品，提供 6x6 毫米 36 引腳 QFN 封裝。