宏力建立國內首個0.18微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺

中國上海，2012年6月21日－上海宏力半導體制造有限公司（以下簡稱“宏力半導體”），專注于差異化技術的半導體制造領先企業，宣布成功建立國內首個0.18微米“超低漏電” (Ultra-Low-Leakage，ULL) 嵌入式閃存工藝平臺。

0.18微米“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺由宏力半導體自主開發完成。 此次推出的“超低漏電”工藝平臺在宏力半導體現有的0.18微米“低功耗”（Low-Power，LP）工藝平臺上實現了進一步技術提升，其N/P晶體管在1.8伏操作電壓下可分別輸出與“低功耗”工藝等同的525 / 205 μA/μm驅動電流，但其N/P管靜態漏電分別僅為0.6pA/μm和0.2 pA/μm，達到業界領先水平。

0.18微米“超低漏電”嵌入式閃存工藝平臺生產的芯片具有超低漏電(小于1pA/μm)、靜態功耗低的特點，在電池容量有限的情況下能夠提供更長的待機時間。基于該平臺生產的低功耗微控制器（MCU）、觸摸屏控制芯片（Touch Panel Controller）主要適用于平板電腦、數碼相機和手機等手持式便攜設備。

“0.18微米‘超低漏電’嵌入式閃存工藝平臺可為客戶提供高可靠性、低成本的解決方案，進而大幅提升客戶產品的市場競爭力。”企業發展暨戰略單位副總經理傅城博士表示，“目前，已有多家客戶在該平臺試產，各項指標均達到或超過客戶要求。”