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        IDT推出全球首款針對高性能應用的壓電MEMS振蕩器

        作者: 時間:2012-05-10 來源:電子產品世界 收藏

          擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: I) 宣布,已推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業應用的 CrystalFree 壓電MEMS(pMEMS)LVDS / LVPECL 。 的新型可在緊湊業界標準封裝中以遠低于 1 皮秒的相位抖動運行,使其成為傳統六管腳晶體(XO)的理想替代。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/132247.htm

          

         

          IDT 的 4M 系列高性能 LVDS / LVPECL 振蕩器利用 IDT 專利的 CrystalFree pMEMS 諧振器技術,讓 IDT 能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率,無需微調昂貴的晶體。此外,由于pMEMS 的本征諧振頻率遠高于石英晶體,4M 振蕩器能夠以更低的成本實現更高的頻率而無需損耗關鍵性能。4M 系列是 IDT 廣泛 MEMS-based 器件組合的首款產品,將為客戶提供便利、精確和低抖動的計時參考。

          IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經理 Fred Zust 表示:“作為計時領域的領導者,我們的客戶一直期望 IDT 的 pMEMS 技術能夠擴展至通信這樣的高性能應用,通信是 40 億美元頻率控制市場的重要細分市場。IDT 專利的 pMEMS 諧振器技術將壓電材料的強機電耦合與單晶硅的穩定性和低阻尼相結合,允許我們憑借無與倫比的性能和可靠性實現便利且具有成本效益的 XO 替代。這些產品與我們屢獲殊榮的固態振蕩器相得益彰,可提供完整的頻率控制產品組合,從而在不斷增加的細分市場中替代石英器件。”

          IDT 的 4M 振蕩器可在 -40°C 至 85°C 的廣泛工業溫度范圍內以 ±50 ppm 的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發射極耦合邏輯(LVPECL),頻率高達 625 MHz,可滿足大多數通信、網絡和高性能計算應用的嚴格要求。除了 7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸,IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm(5032)小型標準塑料封裝,可節省成本并在高密度的應用領域將封裝尺寸降至最低。經過設計,它們與傳統的 XO 管腳兼容,使其成為理想的升級替代解決方案。



        關鍵詞: IDT 振蕩器

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