ST推出20A和30A功率場效應MOS晶體管

第一批采用SO8尺寸的PolarPAK™ 封裝的IC，
有助于大電流DC-DC轉換器提高功率密度和可靠性

意法半導體（紐約證券交易所代碼： STM）推出了該公司第一批采用頂置金屬片的PolarPAK® 封裝的功率IC，這種封裝有助于大電流電源組件實現優異的熱性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分別是20A和30A的功率場效應MOS晶體管，占板面積與SO-8封裝相同，僅為5mm x 6mm。因為頂部和底部都有散熱通道，所以封裝的高度更低，只有0.8mm高。

ST和Siliconix公司于2005年3月簽訂一項使用PolarPAK®技術的許可協議。新封裝的引線框架和塑料封裝與大多數標準功率場效應MOS晶體管使用的封裝相似，具有優良的裸片保護功能，在制造過程中拾放芯片十分容易。然而與標準的SO-8封裝相比，PolarPAK的散熱效率更加出色，在相同的占板面積下，比SO-8封裝處理的電流高一倍。.

新器件采用ST最新優化的STripFET™制造技術，在更小的芯片面積上取得了更低的通態電阻和功耗，這項技術是以大幅度提高單元密度和降低單元線寬為基礎的。在10V時，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫歐，30A STK850是2.9毫歐。結到外殼熱阻極低和結溫較低的特性是降低兩款MOSFET的通態電阻的主要因素。

電容低和柵電荷總量低使STK800成為非隔離型直流-直流降壓轉換器的控制FET的理想選擇，同時極低的RDS(on)電阻使STK850成為一個優秀的同步FET解決方案。較低的工作溫度有助于提高能效和使用壽命的可靠性。新的封裝加強了裸片保護，提高了制造過程中芯片拾放的便利性，并兼容現有的SMD組裝設備。新器件的多個貨源確保客戶采購的靈活性。