PCAP01 – 革新電容數字轉換器單芯片方案
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當應用補償模式進行高精度測量時，可以使測量有非常低的增益和零點漂移。電容可以連接為接地，漂移模式。而傳感器和參考電容是通過內部集成的模擬開關選擇到放電網路中。另外由于專利的電路和補償算法，內部可以補償寄生電容。補償的結果可以達到在溫度范圍內僅0.5 ppm /K 增益偏移。這比絕大多數傳感器本身內部偏移要好得多。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/125744.htm傳感器連接的方式：
對于電容傳感器的測量，芯片提供了非常靈活的連接方式，對比典型的連接方式如下所示：
在芯片中用戶可以自己選擇是用內部集成的放電電阻進行電容的測量，還是外接放電電阻來進行測量，連接的方式如下圖所示：
導線補償：
在電容測量當中，導線的寄生電容對于整個測量的影響是不能夠忽略的。尤其當導線較長的情況下，導線寄生電容的影響將會對測量結果有致命的影響。在Pcap01當中，可以對傳感器的導線寄生電容進行有效補償：
通過上面的傳感器連接的方式，可以補償連接傳感器兩端的導線寄生電容，消除導線對于測量結果的影響。那么如果想要進行導線補償，3個在漂移模式的測量需要被進行如下：
如果對于高穩定性高精度的測量，我們推薦連接傳感器為漂移模式，來進行完全補償。當然如果導線非常短，而且對于測量性能溫度性能要求并不苛刻的情況下，也可以僅使用內部補償，在接地和漂移模式下均可以應用：
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