ARM和TSMC簽署65納米和45納米技術的物理IP長期協議

　　ARM公司和臺灣積體電路制造股份有限公司簽署協議把公司的長期合作關系擴展至開發一套全新的ARM® Advantage™產品，該產品是Artisan®物理IP系列產品的一部分，用來支持TSMC的65納米和45納米工藝。通過該協議，用戶可以從ARM Access Library Program獲得針對TSMC先進技術的ARM Advantage產品。 　　  


　　ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表現，滿足消費電子、通訊和網絡市場眾多應用的需求。Advantage標準單元包括功耗管理工具包，實現動態和漏泄功耗節省技術，例如時鐘門控、多電壓分離和電能門控等。它還提供五個Advantage存儲編譯器，提供相似的高級功耗節省特性。該產品套件在擴展了的電壓范圍內對時鐘和功耗作了特殊設置，使得設計師可以完成多電壓設計的精確模擬。此外，ARM還將發布TSMC Nexsys I/O產品，從而提供完整的物理IP。 


　　Advantage IP包含了ARM廣泛的views和模型集，提供了與眾多業界領先的EDA工具的整合。這些views在廣泛的運行條件下可以為Advantage產品提供功能、時鐘和功耗信息，使得設計師可以在SoC中實現能夠積極控制動態和漏泄功耗的復雜功耗管理系統。 


　　TSMC 65納米技術的成功是建立在其業界領先的0.13微米和90納米技術的基礎上。TSMC預計2006年65納米產品將會有一個爆發式的增長。公司每2個月會啟動65納米的原型驗證試驗線，幫助客戶和EDA、IP和庫供應商就他們的尖端設計進行原型試驗和驗證。 


　　TSMC 65納米NexsysSM技術是其同時采用了銅互連和low-k絕緣技術的第三代半導體工藝。它是一個9層金屬工藝，核電壓1.0或1.2伏，I/O電壓1.8，2.5或3.3伏。與TSMC現有的90nm Nexsys工藝相比，這項新工藝技術可以將使標準單元門的密度翻倍。它同時還有很具競爭力的六晶體靜態隨機存取記憶體(6T SRAM)和單晶體嵌入式靜態隨機存取記憶體（1T embedded DRAM）這兩種存儲單元尺寸。此外，該技術還包括支持模擬和無線設計的混合信號和無線電頻率功能，支持邏輯和存儲整合的嵌入式高密度存儲，以及支持客戶加密需求的電子保險絲選項功能。