InGaN-on-Si長波LED設備首次被證實

　　位于美國亞利桑那州鳳凰城的玫瑰街實驗室是一家產品和服務供應商，為私人所有，服務于可再生能源和半導體市場。它宣稱第一個證實了基于硅片可以生產長波LED設備，其相比于傳統藍寶石或碳化硅襯底具有很大的成本優勢。與紫外線和藍光LED相比，由于量子效率的下降，制造綠光LED以及長波氮化物基LED極具挑戰性，一直被認為是行業發展的一個里程碑。

　　玫瑰街實驗室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)將負責綠光LED和長波LED的封裝。FCL在封裝半導體功率器件方面具有豐富的經驗，其分布于全球的制造廠將為該實驗室提供專屬的LED設備封裝解決方案。

　　玫瑰街實驗室還初步證實了可將光線調整為多色光和白光光譜。該公司表示，InGaN-on-Si長波LED具有高強度、低能耗和商業成本極低的優點，預計未來2-3年中該技術可實現在200毫米硅襯底上生產InGaN-on-Si的LED設備，商業前景廣闊。