確保更精確的高電阻測量

       高電阻測量已成為多種測試應用的組成部分，包括印制電路板的表面電阻（SIR）測試、絕緣材料和半導體的電阻率測量、高歐姆值電阻的電壓系數測試等。確保高電阻測量（即高于1GΩ [10P9P歐姆]的電阻）的精度需要使用大量的特殊技術和儀器，例如靜電計、源測量單元（SMU）、或皮可安培計/電壓源組合。靜電計可以采用恒壓或恒流的方法測量高電阻。

恒壓方法

       采用恒壓方法測量高電阻需要能夠精確測量低電流的儀器和一個恒定的直流電壓源。某些靜電計和皮可安培計提供了內置電壓源，能夠自動計算出未知的電阻。圖1給出了利用靜電計或皮可安培計（圖1a）或SMU的恒壓方法的兩種基本配置。在這種方法中，一個恒壓源（V）與未知電阻（R）和安培計（IBMB）串聯在一起。由于安培計上的電壓降可以忽略不計，因此所有的測試電壓都加載在R上。產生的電流由安培計測出，電阻可以根據歐姆定律計算出來（R= V/I）。

       由于高電阻通常是所施加電壓的函數，恒壓方法一般比恒流方法更有優勢。通過在選定電壓下進行測試，可以得到電阻與電壓的關系曲線，從而測出電阻的電壓系數。例如，6517B型靜電計（如圖2所示）可以利用恒壓方法測量電阻，由于電壓系數的作用它適合于測量極高的電阻。

       恒壓方法需要精確測量低電流，因此必須考慮與低電流測量相關的誤差源。其中包括不正確屏蔽的安培計連接，與安培計電壓負荷和輸入偏移電流相關的問題，以及待測器件的源電阻。外部誤差源包括線纜和夾具的漏電流，以及由于靜電或壓電效應產生的電流。

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