FSI鎳鉑薄膜工藝成功導入65納米生產工藝

FSI國際有限公司（Nasdaq: FSII）宣布：其PlatNiStrip?鎳-鉑去除工藝已經通過幾家全球最大的芯片制造商驗證，并且被他們應用在65nm技術器件的生產中。自2005年3月發布以來，FSI的PlatNiStrip工藝專門設計來為芯片制造商提供先進的自對準多晶硅化物結構(salicide formation)，該項工藝已經引起了業界廣泛的關注。

"客戶們對我們能夠在他們的制造生產中快速地實現該工藝印象深刻，因此他們現在正使用鎳-鉑去除工藝制造65nm 的產品，"FSI董事長兼首席執行官Don Mitchell先生說。"在FSI已有的平臺上不斷地提供并且快速加入先進的工藝能力，進一步鞏固了我們在表面處理領域技術領導者和高性能價格比伙伴的行業地位。"

IC 制造廠商已經通過增加少量的鉑來提高鎳硅化物薄膜的熱穩定性。但是，常用的去除未發生反應鎳的辦法，在選擇性地去除未發生反應鉑的時候是無效的，這樣會在晶圓的表面留下了鉑殘留物。FSI的PlatNiStrip鎳-鉑去除工藝，是一種應用現場(point-of-use)配制混合酸的方案，能夠同時去除鎳和鉑而沒有殘留物，同時對硅化物、氧化物和氮化物具有高度選擇性，從而促成了鎳-鉑硅化物薄膜的整合。

晶圓廠的數據表明，客戶采用PlatNiStrip工藝后實現了器件性能的顯著提高，不僅使表面電阻率得到了降低，而且分布更加緊密，該項工藝可以通過采用業界標準的化學品和在標準的ZETA 噴霧清洗系統上高性能價格比地實現。

ZETA 是專為前段(FEOL)和后段(BOEL)、90nm及以下、200/300mm 晶圓批量噴霧清洗而設計。該系統使用離心噴霧結合通用化學品輸送技術，可以以可控制的成分和溫度實現化學品的制備并直接配送到晶圓表面上。ZETA 系統已被證明應用范圍非常廣泛，包括自對準多晶硅化物結構的鈷和鎳刻蝕、光刻膠去除、灰化后清洗、非超聲波微粒去除和晶圓回收。