中國首條八英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動

　　中國南車大功率IGBT產業化基地25日在株洲奠基，這標志著中國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。

　　IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、電力電子、新能源汽車等戰略性產業領域，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”。

　　占地160畝、由中國南車株洲所具體實施的中國南車大功率IGBT產業化基地項目，總投資14億元人民幣，預計到2013年正式投產。項目建成后，將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊的能力，年產值超過20億元。

　　“目前，國內缺少IGBT的產業化設計、生產、封裝、測試和可靠性試驗等一套完整的技術，國內IGBT的主要供應商為外國廠商。大功率IGBT產業化基地的建設，將改變核心技術受制于人，產品依賴進口的不利局面，提升中國軌道交通等重大裝備制造業的核心競爭力。”南車株洲所總工程師馮江華表示。

　　記者了解到，該基地除建設一條國際領先的8英寸IGBT芯片生產線外，還將建設9條滿足不同行業用的IGBT模塊生產線。產品電壓等級從600伏到6500伏，滿足軌道交通以及電動汽車、風力發電、太陽能發電、智能電網、高壓變頻、工業傳動等多個行業需求，成為中國首個完全依靠自主能力建設、設計規模最大、技術實力最強、產品型譜最全的大功率IGBT產業化基地。

　　作為國內唯一掌握IGBT芯片設計—芯片制造—模塊封裝—系統應用完整產業鏈的企業，中國南車的技術研發、產品設計、制造與銷售都定位在面向全球布局。2010年，中國南車在海外成立功率半導體研發中心，負責承擔電力電子器件中長期戰略項目和重大項目的技術跟蹤、研究和開發，專門從事高壓IGBT芯片技術研究和新一代IGBT器件開發，支撐并引領公司大功率半導體器件產業的可持續發展，縮短與國際最先進水平的差距。

　　中國南車透露，期望通過大功率半導體器件IGBT產業化項目的建設，實現芯片—模塊—系統應用的完整產業鏈，填補中國在這一領域的技術和產品空白，實現電力電子器件的技術跨越，占領技術制高點，實現中國南車“十二五”期間打造全球大功率半導體器件前三強目標。