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        18 GHz移動通訊回程應用需要高效1W GaAs MMIC放大器

        作者:TriQuint半導體 時間:2011-02-18 來源:電子產品世界 收藏

          性能

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/116967.htm

          是針對點對點微波應用設計的 砷化鎵(GaAs)微波單片集成電路(MMIC)功率放大器系列產品中的最新一款。該產品采用了的砷化鎵 pHEMT工藝,工作電壓為6VDC,靜態電流為816mA。使用4×4mm無鉛QFN封裝,相較于含鉛的表面貼裝技術(SMT)封裝,更便于裝配。

          TGA4532-SM在運用于17.7-19.9GHz通訊帶的1W封裝功率放大器中表現最為優異。比如:每音調輸出功率為22dBm情況下,三階截取點理論上為41dBm。P1dB輸出功率為31 dBm,飽和輸出功率大于32 dBm(見圖1)。TGA4532-SM具有23dB的增益,在頻帶內平坦度極好,各種頻段范圍的輸入輸出回波損耗幾乎都低于12dB(見圖2)。結合這些射頻性能特點與不到5瓦的直流功率消耗,TGA4532-SM提供了一個18GHz點對點應用的優秀的解決方案。

          同系列其他產品包括和TGA4532-SM覆蓋同樣頻段的TGA2522-SM,提供了至少27 dBm的P1dB輸出功率、28.5dBm的Psat輸出功率、至少36 dBm的三階截取點、21dB的功率增益、4×4mm QFN封裝,及從5伏直流電源引流為712 mA。TGA2706-SM采用5×5mm QFN表貼封裝,在5.5-8.5 GHz點對點的微波帶提供了2W的P1dB RF輸出功率。TGA2706-SM在三階截取點功率為42 dBm時,能產生32dBm的P1dB功率,小信號增益為31dB、噪聲系數為7dB。在其3GHz帶寬內的表現極為平坦。

          在大于23GHz頻段的點對點微波通訊中,裸晶元通常用于來提供最高的性能。最近推出的TGA4538 砷化鎵微波單片集成電路晶圓在37-40GHz帶寬上表現出色,提供了至少28 dBm的P1dB RF輸出功率(Psat為29.5 dBm)、三階截取點性能為38 dBm、增益為24dB、 及從5伏直流電源引流為600mA。

          結語

          未來幾年,對于點對點微波和毫米波無線通信設備和部件制造商來說,無線回程市場將顯著增長。原因很簡單:相當多的基站不能提供光波系統接入的情況下,只有點對點微波能提供帶寬來處理和WiMAX應用產生的巨大數據量。基于無線電的回程在部署和運行也具有成本效益,其可靠性也在全球的廣泛應用中得到驗證。TriQuint將繼續推出微波單片集成電路產品以滿足從6至38GHz帶寬的應用需要,提供線性和其他特性的產品來滿足點對點系統應用的高位調制方案需求。


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        關鍵詞: TriQuint LTE TGA4532-SM

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