臺積電2納米制程預計2023年風險性試產，三星彎道恐難超車

使用多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。

這是由于3納米已達FinFET技術的瓶頸，會出現制程微縮產生電流控制漏電的物理極限問題，就算有EUV技術加持，但2納米勢必要轉換跑道。雖然三星提早在3納米就打算采用GAA，意圖在此技術上彎道超車臺積電，但臺積電研發多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術，及EUV運用經驗，將能使良率提升更順利。

因此不少法人預期，若臺積電2納米在2023年即能投產，三星恐怕也很難實現彎道超車的計劃。就目前臺積電所公布的制程推進現況來看，采用EUV的5納米良率已快速追上7納米，顯見臺積電在良率提升上的底蘊，甚至有業界人士預期風險試產良率即可到9成。三星雖提前量產3納米GAA，但在性能上未必能壓過臺積電，而GAA良率上的落差可能也不會如預期般明顯，且據傳2納米背后還有蘋果的研發能量支持。

不過未來半導體制程將會更具競爭，不僅是三星，英特爾的SuperFin技術也不可小覷，雖然納米節點時程落后，但實際性能并不算差。早有輿論認為，臺積電及三星的制程競逐，很多只是數字游戲，而英特爾其實相對踏實，就實際電晶體密度等指標來看，新的英特爾10納米強化版已接近臺積電5納米，是非常大的單一節點升級。

只要英特爾也敢忍痛殺價，SuperFin仍然很有高端市場的競爭力，就如同三星8納米已打出成績一般，臺積電雖然還占有優勢，但仍不能輕敵。目前臺積電已表示，未來2納米研發生產將落腳新竹寶山，將規劃建設4個超大型晶圓廠，將成為下一輪半導體大戰主力。

之前，蘋果在新品發表會上，雖然沒有發表新一代的iPhone。不過，預計在新一代iPhone及iPad Air上將搭載的A14 Bionic處理器則是正式亮相。因為，受惠于臺積電5納米制程技術，使得A14 Bionic處理器較上一代的A13 Bionic處理器性能提升30%，電晶體數量達到118億個。而因為A14 Bionic處理器的正式登場，也讓許多消費者開始期待，新一代非蘋陣營的高通驍龍(Snapdragon)處理器將會有甚么樣的性能表現。

日前，就有外媒指出，新一代的高通驍龍875處理器將采“1+3+4”的三叢集架構，其中將采用Arm日前新推出的Cortex X1超大核心，使得性能提升狀況讓人期待。

報導指出，這將會是高通8系列旗艦型處理器當中第一顆整合5G基帶芯片的高通驍龍875處理器，將采用三星的5納米制程來生產。而其中的核心設計，將是“1+3+4”的三叢集架構。也就是1個超大核心搭配3個大核心、以及4個效能核心的設計。而在超大核心的部分，將采用Arm日前新推出的Cortex X1超大核心。而3個大核心方面，則是采用與Cortex X1同時發表的Cortex-A78核心。根據Arm之前官方所公布的資料顯示，Cortex X1的超大核心較上一代的Cortex-A77大核心性能高出30%，也較Cortex-A78大核心性能高出22%，而采用Cortex X1超大核心預計就是要提升整體處理器的性能。

事實上，高通自驍龍855處理器開始，就已經在8系列的旗艦型處理器上導入了“1＋3＋4”三叢集架構。以當前高通的驍龍865單芯片處理器為例，它采用的就是1個Cortex A77超大核心＋3個Cortex A77大核心＋4顆Cortex A55能效核心的架構設計。但相較于新一代的驍龍875而言，驍龍865的超大核和大核心均為Cortex A77，只是高通將驍龍865的Cortex A77超大核心的運算時脈提升，就成了超大核心來運作執行。如此，對比采用全新設計超大核心Cortex X1的驍龍875處理器來說，則未來性能的進一步提升將可以期待。

而雖然，高通驍龍875處理器的性能將較上一代有所提升。不過，因為在預計整合進高通驍龍X60 5G基帶芯片，而且采用新核心架構的情況下，則預計價格也將會再創非蘋陣營處理器的新高，屆時就看效能與價格的取決條件上，消費者能否接受了。只是，過往高通驍龍新一代旗艦型處理器都會在年底前發表，而次一年的第1季就會有終端產品的推出。但是在2020年受到武漢肺炎疫情的沖擊下，屆時是否能夠準時登場，則還必須持續注意。