搞清楚時(shí)序與頻率的區(qū)別了嗎？哪個(gè)對內(nèi)存性能影響大？宏旺半導(dǎo)體來解答

       眾所周知，內(nèi)存在電腦運(yùn)行中發(fā)揮著不可或缺的橋梁作用。如今，大家在購買內(nèi)存時(shí)，很多人會關(guān)注它的容量與價(jià)格，但是影響內(nèi)存的關(guān)鍵兩個(gè)因素：頻率和時(shí)序，你是否真的了解呢？

內(nèi)存頻率，內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。

如今通常使用的內(nèi)存為2400MHz，這是比較大眾化的選擇，而高端游戲玩家則會選擇更高的3000MHz甚至3600MHz頻率的內(nèi)存給游戲帶來更高的體驗(yàn)。但是宏旺半導(dǎo)體這里需要強(qiáng)調(diào)一下，購買內(nèi)存并不是越高頻率越好，主要還是看適合不適合自己的電腦。如果你的主板最高只支持3000MHz頻率，而你花高價(jià)購買了4000MHz頻率的內(nèi)存， 這就是一種浪費(fèi)。

而內(nèi)存時(shí)序，之前宏旺半導(dǎo)體說過，是描述同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）性能的四個(gè)參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時(shí)鐘周期。它們通常被寫為四個(gè)用破折號分隔開的數(shù)字，如16-18-18-36。宏旺半導(dǎo)體了解到，第四個(gè)參數(shù)經(jīng)常被省略，而有時(shí)還會加入第五個(gè)參數(shù)：Command rate（命令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。

把內(nèi)存存儲的地方想象成格盤，每個(gè)方格都存儲著不同的數(shù)據(jù)。CPU需要什么數(shù)據(jù)，就會向內(nèi)存發(fā)出坐標(biāo)指令（即CAS和RAS），內(nèi)存則根據(jù)坐標(biāo)將數(shù)據(jù)找出來（這一過程也稱為“尋址”），提供給CPU進(jìn)行運(yùn)算。從CAS指令發(fā)出到內(nèi)存接收指令開始執(zhí)行的這段等待時(shí)間，就被稱為“CL”。尋址時(shí)，內(nèi)存要先在格盤中確定行（Row），再確定列（Columns）。內(nèi)存訪問到這一行這一列所需要等待的時(shí)間。就是“tRCD”。

內(nèi)存時(shí)序的參數(shù)影響隨機(jī)存儲存儲器速度的延遲時(shí)間，較低的數(shù)字通常意味著更快的性能，所以在同代同頻率的情況下，內(nèi)存時(shí)序越小越好，一般情況下大家只需要看內(nèi)存時(shí)序中的第一個(gè)數(shù)字，也就是CL值，數(shù)字越小越好。

宏旺半導(dǎo)體總結(jié)下來就是，其它條件相同的情況下，頻率越高、時(shí)序越低的內(nèi)存條，性能越強(qiáng)。以宏旺半導(dǎo)體推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列為例，由專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)設(shè)計(jì)，是一款高性能、高質(zhì)量的產(chǎn)品，工作電壓為1.2V，工作溫度0℃至70℃，260 - pin SODIMM封裝，2666 Mbps速率，擁有高容量、高性能等優(yōu)勢，以及可靠性保障，滿足了當(dāng)前PC、電腦、電視等主流市場的需求。

所以一個(gè)好的內(nèi)存條應(yīng)該要滿足：低時(shí)序，高容量，高頻率這三個(gè)條件，至于RGB，那就是光污染玩家的喜好了。