- 2010年臺DRAM廠將決戰50和40奈米制程技術，但新制程關鍵恐未必在技術上，而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺設備采購是否能跟上腳步，近期業界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機臺交貨不及，公司則澄清前期機臺已順利拉進來，轉換制程進度一切正常。
DRAM廠決戰50和40奈米制程技術最大挑戰是資金問題，其中，機臺購置成本占相當大比重，由于1臺機臺設備動輒要價新臺幣10億元，且每臺機器產能約僅1萬片，若1座產能達10萬片的12寸
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Samsung DRAM
- 嵌入式系統中DRAM控制器的CPLD解決方案,介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎上，利用CPLD技術和80C196XL的時序特征設計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現。
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CPLD 解決方案 控制器 DRAM 系統 嵌入式
- 南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠，從現有3萬片擴增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復蘇后，首家擴產的臺系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產能(加計華亞科)約9.5萬片，以目前全球單月12寸廠產能約100萬片計算，南亞科擴產后，全球市占率將首度挑戰10%，成為臺塑集團在 DRAM產業重要里程碑。
DRAM廠喜迎產業景氣復蘇，但苦于無錢擴增產能，2009年下半除趕緊將減產的產能回復，對于制程演進亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(Elpida)陣營2010年紛宣布要轉進40奈米制程世代
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南亞科 DRAM
- 2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納米制程，大舉轉換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統的完整世代技術，并非是制程微縮下的產物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進度后，年底4大陣營技術實力大幅縮小，競爭更激烈。
雖然三星電子和海力士已先一步轉到40納米世代，其中三星是
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Hynix DRAM 40納米
- 全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創下3年來新高。
2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。
和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權官司達成和解協議，三星公司將在五年之內逐步向Rambus公司支付總額達9億美金的專利授 權費用.據協議規定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬美元的方式逐步將剩下的金額以專利授權費的形式支付給對方，其中包括一筆用于購買三星現有DRAM產品所使用的Rambus專利終身授權的資金。另外，協議還規定三星將向Rambus公司投資2億美元。
據Rambus公司高級副總裁Sharon Holt
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三星 DRAM 內存
- 全球DRAM市場正加速進行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價格持續上漲，DDR2價格卻嚴重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統廠和模塊廠不要只購買DDR3模塊，由于DDR3模塊在現貨市場貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時，避免產品價格嚴重背道而馳。
近期DRAM市場已呈現兩極化發展，DDR3芯片市場缺貨情況持續惡化，但DDR2芯片庫存卻是愈堆愈多，存儲
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DRAM DDR3
- 據彭博(Bloomberg)報導，海力士執行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產業的主流產品，同時，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NAND Flash的產能。
根據研究機構iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也將增加NAND Flash產能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計劃倍增NAND
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海力士 DRAM 存儲器
- 據國外媒體報道，由于計算機內存芯片供不應求可能有助于利潤創下4年來新高，全球第二大內存芯片廠商海力士計劃今年償還逾1萬億韓元債務(約合8.88億美元)。
海力士首席執行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時表示，“我們的目標是，在進行必要投資的同時償還巨額債務。目前，海力士有息債務約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。”
更少的債務和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
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DRAM 內存芯片 DDR3
- 2010年PC主流內存標準從DDR2向DDR3的轉換正在逐步成為現實。據臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產能從DDR2向DDR3轉換的步伐。根據稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經明顯加快了增產DDR3的步伐。
另一家DRAM大廠
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DRAM DDR2 DDR3
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業中有獨特的地位。業界有人稱它為半導體業的風向標。
縱觀DRAM發展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
- 2009年DRAM產業在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價還在0.5美元，當時生產成本還在2美元，可見虧損有多嚴重，各廠只好宣布停工、減產，巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國與國之間的戰爭。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來，中間歷程看似短短 365天，但個中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來各界看好DRAM產業有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進在通往天堂的路上。
365天之間可以發生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
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Microsoft DRAM DDR
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產能轉移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過，亦有業者認為，若大家都搶著把DDR2產能轉走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩，反而有利于DDR2價格走勢。
臺 DRAM廠表示，原本業者認為在農歷春節前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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DRAM DDR2 DDR3 存儲器
- 要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內部結構。 二極管組成，另一種是將四個二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限值
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分析 結構 內部 電源 PC
- 2010年存儲器產業熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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存儲器 DRAM NAND
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