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海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過剩
- 2月9日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告，認為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警告，看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告，將牽動南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計劃。 外電報道，海力士執(zhí)行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露，由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出，擔心DRAM芯片會供給過剩
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機密被捕
- 據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機密并出售給了競爭對手海力士。 美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經(jīng)確認此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。 應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 DRAM NAND
DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3
- 報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半年超過DDR3。 Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元，那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。 Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過這種升級或許會因為其它設(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測，1Gb DDR2
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美國09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM
- 湯森路透知識產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果，對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級公司中，無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一， 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權(quán)名單還包括11家日本公司，中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。 2009年美國專利權(quán)人 TOP25 亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權(quán)名單的56%，而日
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三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
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三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產(chǎn)品
- 導(dǎo)讀：《朝鮮日報》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產(chǎn)品，而芯片的營業(yè)利潤容易根據(jù)市場環(huán)境起伏不定，這也被認為是三星的“致命弱點”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會面臨更大的危機。 以下為全文： 三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱：“從長遠來看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
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40納米成DRAM廠流行口號
- 近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉(zhuǎn)進50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過50納米，直接轉(zhuǎn)進45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒看到影子時，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機會大量生產(chǎn)，其它陣營的40納米技術(shù)，都是口頭說說成分居多。
- 關(guān)鍵字： DRAM 40納米
SIA：09年12月全球半導(dǎo)體銷售額
- 美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(Semiconductor Industry Association，以下簡稱“SIA”)周一公布報告稱，去年12月全球半導(dǎo)體銷售較11月下滑1.2%，但比2008年同期增長29%，主要由于PC、手機及其他消費電子產(chǎn)品的銷售健康增長。 報告顯示，去年12月全球半導(dǎo)體銷售額為224億美元，比11月的227億美元下滑1.2%，比2008年同期的174億美元增長29%;在整個2009年，全球半導(dǎo)體銷售額為2263億美元，比2008年下滑9%，但高于SIA此前
- 關(guān)鍵字： AMD 半導(dǎo)體 PC 手機
LSI 針對企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲應(yīng)用擴展定制 IP 產(chǎn)品系列
- LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級網(wǎng)絡(luò)和存儲SoC 的開發(fā)。 定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應(yīng)用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
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DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”
- 在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 DDR3來臨 第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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DRAM跌價襲擊 模塊廠1月營收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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設(shè)備交期拉長 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長力道
- 近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴產(chǎn)計劃不斷，不少業(yè)者的機臺進廠時間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個月來推算，部分機臺交貨時間恐怕落到2011年。 在2010年科技業(yè)大擴產(chǎn)風(fēng)潮下，市場紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績可望較2009年成長4~5成，不過近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長到6~9個月的隱憂下，設(shè)備業(yè)者已開始擔憂，交期拉長恐怕使部分原本可在2010年交貨的機臺，延后到2011年，使全年業(yè)績成長幅度受到壓抑。 設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn)，尤其是關(guān)鍵機臺包括LED的金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MO
- 關(guān)鍵字： MOCVD，晶圓代工 DRAM
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