- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現供貨排擠效應。
三星器興廠發生停電意外，在啟動不斷電系統 (UPS)后，1小時內便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。
存儲器業者指出，這次三星受影響廠區
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三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
- 根據DRAMeXchange的預測，從今年到2012年，DRAM產業供給方面在產能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇，帶動消費者及企業換機潮，以及智能型手機帶動行動內存需求大幅成長下則將動力強勁，預期未來三年DRAM產業有機會連續獲利。
DRAMeXchange指出，DRAM產業過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環周期，以DRAM廠的營業獲利率分析，2001至2003年DRAM產業連續三年虧損，2004至2006年轉
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智能手機 DRAM 40nm
- 近期內存價格的持續上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應該一味擴大產能惡性競爭而重新導致DRAM內存暴跌。
韓國三星半導體業務總裁權五鉉日前表示，DRAM制造商不應該盲目擴大產能，而應當把大規模投資放在提升技術水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴大DRAM產能，而是將全力投入制造工藝升級，進一步增強其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導體董事長黃崇仁同樣認為，廠商們在對待產能的問題上應當更加謹慎，避免重蹈當年的覆轍。
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三星 DRAM
- 據外電報道，美國國際貿易委員會(USITC)將對DRAM半導體、產品、記憶模塊展開調查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權指控。
英飛凌方面稱，爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面4項重要發明專利，涉嫌不公平貿易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令，禁止爾必達或以爾必達的名義，向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導體產品。
被調查的企業名單
USITC表示，將依據1930年美國關稅法第337條，對下列廠商展開調查，包括日商爾必
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英飛凌 DRAM
- 由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅動IC、功率放大器(PA)等產品線均出現供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續漲價5%至10%,但電子終端產品價格并未跟進調漲，顯示今年電子生產鏈上肥下瘦已成定局。
根據通路業者指出，今年中國農歷年期間因終端市場需求強勁，大幅去化芯片庫存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等，現在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
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電源管理 NOR閃存 DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺參加全球半導體聯盟(GSA)論壇，吸引DRAM業者紛前來聆聽龍頭廠對景氣風向球。權五鉉表示，2010年下半DRAM價格可以維持穩定，未來DRAM業者不應一昧地追求價格和成本，而是要節制瘋狂擴充產能;力晶董事長黃崇仁在現場亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產，要追求合理價格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠高層過招，成為整個論壇最大高潮。
權五鉉16日在GSA論壇發表有關半導體市場及
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Samsung DRAM DDR3
- 美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，會場聚焦DRAM、手機和LED產業，業者紛紛釋出樂觀看法，包括DRAM未來2、3年產業展望都樂觀，LED背光液晶電視年底滲透率上看35%.
美銀美林證券臺灣投資論壇邁入第2天，今天會議部份正式展開，并邀請到意法半導體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問暨前任資深主管Rolf Seibl演講，暢談中國大陸山寨手機市場。他指出，中國手機市場有8成是山寨手機，所以聯發科市場廣大。
今天受邀出席論壇演講的華亞科總經理高啟全指出
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Numonyx DRAM LED 手機
- 采用PC的數字化現代光譜學設計方案,1 引言
現代光譜學實驗普遍需要使用高性能計算機來采集、分析、存儲并顯示數據。通常，最需要的就是將光探測器輸出的原始模擬電壓信號轉換為數字信號的高速數字化儀。市場上基于PC的數字化儀為光譜學提供了低成
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設計 方案 光譜 現代 PC 數字化 采用
- 市場調研公司IC Insight調整2010年全球半導體銷售額的預測, 估計增長27%,達2530億美元。
并同時預測2011年半導體銷售額再增長15%,達2900億美元。
按IC Insight的最新說法表明比之前較好的2007年的2340億美元還好, 達到近期單年的最高增長值。
按SIA的數據IC Insight曾在今年1月時預測2009年全球半導體下降9%,及2010年增長15%的預測, 此次又作了新的調整。
推動今年半導體增長的主要動力來自全球DRAM產業, 由于其
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半導體 DRAM 存儲器
- 力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標定為新臺幣110億元。
譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產技術從65納米技術升級到40納米技術。 今年1月初，力晶半導體曾表示，將于2010年下半年開始對40納米制程進行測試。 譚仲民稱，由于現金充裕，公司目前沒有融資計劃。他稱，力晶半導體2009年的資本支出規模“很小”。但他拒絕透露具體數據
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力晶 DRAM
- 工研院IEKITIS計劃日前公布2009年第四季及2009年全年度臺灣半導體產業概況;2009年第四季臺灣整體IC產業產值(含設計、制造、封裝、測試)達新臺幣3,779億元，較上季(09Q3)成長2.5%,較去年同期(08Q4)成長42.0%.
2009全年臺灣IC產業產值達12,497億元，較2008年衰退7.2%,優于全球半導體之成長率。2009年全球半導體市場全年總銷售值達2,263億美元，較2008年衰退9.0%;總銷售量達5,293億顆，較2008年衰退5.5%;2009年ASP為0.
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半導體 晶圓代工 DRAM
- 3月4日消息，據國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業，該公司去年3月申請破產。
爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關資產，其中包括在意大利的一個研發工廠。
爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用增長趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業三星電子和海力士半導體
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爾必達 NAND閃存 DRAM
- 全球1月半導體的銷售額數據出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預測。為什么如此迫不及待，值得思考。
按SIA總裁的看法,全球半導體銷售額1月的最新數據(三個月的移動平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動市場增長在眾多方面, 包括計算機, 手機, 汽車電子和工業應用。如果與去年同期相比, 銷售額增長達47%,顯然與09年1月時正值全球的最低點有關。
SIA總裁Scalise認為,傳統上因為季節的原因, 通常1月會比12月有所下降, 所以
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半導體 汽車電子 DRAM NAND閃存
- 臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科日前決定進行大擴產，原本規劃將12寸晶圓廠產能從現有3萬片提升至3.6萬片，現在計劃一舉提升產能至5萬片水平，因此將再增加250名員工，整體員工人數將達4,250人;總經理連日昌表示，目前12寸晶圓廠已回復至3萬片的投片量，以68奈米制程為主，預計第2季68奈米和50奈米比重可各占一半。再者，預計南亞科2010年資本支出將擴大至新臺幣200億~250億元水平。
南亞科是這一波DRAM景氣復蘇之后，唯一宣布擴產的業者，且擴產幅度不斷加碼，顯示公司對于DRAM產業后市看
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南亞科 DRAM 晶圓
- 日本爾必達周四稱，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產。
爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用愈發增加。爾必達正在追趕DRAM領域的領軍企業三星電子和海力士半導體。
爾必達發言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術，及意大利的四五十名工程師進行談判。他拒絕就該公司將為該收購案斥資的規模進行評論。
日本經濟新聞報導稱，爾必達記憶體將斥資30-50億日圓(合3400-5
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