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EUV要加大投資強度
- 未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
- 關鍵字： 半導體制造 DRAM NAND
第三季度DRAM價格或下滑
- 據(jù)韓國ET NEWS報導，過去1年2個月期間呈現(xiàn)上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業(yè)的凈利也將減少，但對臺灣企業(yè)打擊可能更大。 據(jù)相關業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價格進入第3季后可能會有 5%的價格下滑。業(yè)界相關人員表示，第3季DRAM價格依據(jù)PC業(yè)者的調降要求，可能會有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應不大。 摩根大通(JP Morgan Chase &
- 關鍵字： 海力士 DRAM 40納米
爾必達赴臺設NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業(yè)者進一步合作。 據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書，經濟部正進行審查中。 官員透露，爾必達來臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進入實質合作內容洽談中，研發(fā)中心切入的產品并非一般的動態(tài)存儲器
- 關鍵字： TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導體市場強力支撐
- 全球半導體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關注。 美國半導體產業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
- 關鍵字： 半導體 DRAM
亞洲需求成全球半導體市場強力支撐
- 全球半導體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關注。 美國半導體產業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
- 關鍵字： DRAM NAND
三星46nm良率提升 DRAM價格有望持續(xù)下降
- 臺灣媒體報道，受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響，DRAM內存芯片的期貨價格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱，三星目前向PC廠商供應的2GB DDR3價格已經從先前的45美元下降到了40美元。 消息稱，隨著三星46nm DRAM良率的大幅提高，三星DRAM芯片成本優(yōu)勢也得以體現(xiàn)。據(jù)稱三星目前已經向好幾家PC廠商提供了優(yōu)惠內存芯片價格套裝，從而使得外界認為DRAM 內存價格有望在7、8月份持續(xù)下滑。 根據(jù)市場調研公司DRAMeXchange的報告，六月份下半個月的
- 關鍵字： 三星 46nm DRAM
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