mosfet 文章最新資訊

Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
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估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升—第1部分

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
關(guān)鍵字： MOSFET 瞬態(tài)溫升

Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。　　 ? 　　與前一代S系列器件相比，新的
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滿足開關(guān)電源要求的功率MOSFET

近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設(shè)計(jì)中采用...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET

Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
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只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅(qū)動(dòng)器

閉鎖繼電器在給線圈一個(gè)短電壓脈沖時(shí)，會(huì)改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來保持狀態(tài)...
關(guān)鍵字： MOSFET 繼電器驅(qū)動(dòng)器

基于TLE6210和L9349設(shè)計(jì)的ABS驅(qū)動(dòng)電路

ABS作為如今汽車上必備的安全電子設(shè)備，其功能越來越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過電磁閥和回油泵來完成對(duì)...
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)電路 ABSTLE6210 MOSFET

兩種常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路((如圖所示)，驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下：　　A.當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) MOSFET 常見

安森美半導(dǎo)體持續(xù)擴(kuò)充下一代計(jì)算產(chǎn)品平臺(tái)方案

Sept. 21, 2011 – 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)持續(xù)為簡化及加快計(jì)算平臺(tái)設(shè)計(jì)而擴(kuò)充其產(chǎn)品系列。
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Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC

美國加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動(dòng)器以及兩個(gè)MOSFET同時(shí)集成到了一個(gè)低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設(shè)計(jì)靈活性，既可提升效率（最高效率可超過97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達(dá)750 kHz）來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
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電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

電動(dòng)自行車具有環(huán)保節(jié)能，價(jià)格合適，無噪聲，便利等特點(diǎn)，因此，電動(dòng)自行車成為當(dāng)今社會(huì)人們主要的代步工具。與此同時(shí)，消費(fèi)者和商家對(duì)整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) MOSFET 自行車控制器電動(dòng)

節(jié)省汽車燃料的有效途徑：“啟動(dòng)/停止”系統(tǒng)

許多汽車制造商設(shè)計(jì)了一種節(jié)省汽車燃料的巧妙方法，就是運(yùn)用了被稱為“啟動(dòng)/停止”系統(tǒng)的新概念。該系統(tǒng)...
關(guān)鍵字： MOSFET 引擎離合器

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
關(guān)鍵字：比較 MOSFET 晶體管雙極結(jié) VCEsat

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個(gè)PIN腳功能

1 LM
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
關(guān)鍵字： MOSFET 高精度設(shè)計(jì)技巧

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]