- 功率因數校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來，隨著汽車、通信、能源、綠色工業等大量使用MOSFET的 行業的快速發展，功率MOSFET備受關注。
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MOSFET 功率因數 Vishay
- 面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產能大量移轉到車用電子領域，并開始采取限量供應MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關注態度，臺系MOSFET芯片供應商多已表達淡季不淡的樂觀預期看法
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MOSFET 芯片
- 以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現缺貨潮，導致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎上新增訂單，供應商仍難交出貨來。更嚴重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。
據IHS數據顯示，2016年MOSFET芯片市場總規模為205億美元，2017年預計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領域，杭州士
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MOSFET MLCC
- 電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關。 我們知道開關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關器件長期工作于高電壓大電流狀態，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區?！ ∫?、什么是安全工作區? 安全工作區：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
- 精華！兼容路創和Leviton調光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調光方案解決三大LED燈絲燈調光難題，BP3216內部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應用；采用源極驅動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復，開關損耗小。P3216系列芯片內部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
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MOSFET 可控硅調光 LED燈絲燈
- 導入柵極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統效率和功率密度，是現今數據和電信電源系統設計的首要目標。為達此一目的，半導體開發商研發出采用柵極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
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MOSFET 柵極屏蔽 快捷半導體
- 為反向極性保護設計一個電路-反向極性解決方案被看成是一個迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽車系統中，搭線啟動期間，防止電池反接或者電纜反向連接很重要，然而系統設計人員也必須忍受反向極性保護出現時的功率損耗。
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汽車電池 反向極性保護 二極管 MOSFET
- 有刷直流柵極驅動器的演變-回望在電子產品領域奮戰的20年，我們已走過了漫漫長路。2015年正發布的組件具有無與倫比的精細度和集成度。處理器速度更快，發光二極管（LED）亮度更高，存儲器密度更大，每樣東西的功耗都更低，并且集成電路（IC）集成了比以往任何時候都多的組件。
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MOSFET 柵極驅動器 集成電路
- 模塊電源的散熱應對措施- 本篇文章以實例為基準，分析一個設計方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
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MOSFET 二極管 模塊電源
- 基于MPS芯片的系統電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關芯片轉換出各種系統所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補，各取所長才能共建一個良好的系統供電環境，同時開啟它們的共贏之路。
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MPS模塊 MOSFET LDO DC-DC
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術開發公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業的領軍企業再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯手推出的首款由內部設計、開發和生產的
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Littelfuse MOSFET
- 采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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- 功率mos管工作原理與幾種常見驅動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅動電路設計，功率mosfet驅動電路原理圖。
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驅動電路 mosfet 電路圖
- 利用單個反饋源實現任意量級偏置電流網絡-假設須要生成一些任意數量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。
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模擬電路 MOSFET
mosfet 介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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