- 在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱
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MOSFET 數據 電感器 連續電流
- 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產生，所以，三極管一定不
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MOSFET 電源
- 在電子電路設計中，散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
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大功率電 MOSFET 功率耗散
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅動電路中得到了廣泛的應用，此前我們曾經為大家總結了幾種MOSFET在驅動電路中的常見應用方式，在今天的文章中
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MOSFET 驅動電路 電源
- 功率開關器件MOSFET在驅動電路中的應用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關電源產品中，利用MOSFET完成驅動電路的設計不僅省時省力，還具有
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MOSFET 驅動電路 設計
- 功率器件MOSFET在很多電路系統的設計中都得到了廣泛的應用，而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說，怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環，需要研
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MOSFET 同步整流 DC-DC
- 由于不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動進行輔助
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MOSFET IGBT 隔離驅動
- 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
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MOSFET 帶電插拔 緩啟動 開關損耗
- 1.MOSFET柵極驅動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優點，因而非常適合用作開關電源(switch-mode power supplies，S
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MOSFET 筆記本電源 降壓變換器
- 在傳統應用領域，功率半導體分立器件引領工業發展方式向節能型轉變，實現家電工業轉型升級，優化產業結構。而隨著物聯網、云計算、新能源、節能環保等新興產業的高速發展，新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發展勢頭的重要市場。
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功率半導體 MOSFET
- 在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模
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MOSFET 雪崩
- MOSFET漲價已經很長一段時間，從今年年初至今，其漲價幅度已經達到了5%-10%，相對另外一種被動元器件MLCC，MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態，包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產能。 由于去年下半年以來，汽車電子、物聯網、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求，導致電腦以及智能手機等3C電子產品用MOSFET供貨嚴重不足，價格已經從今年年初上漲至今持續了3個季度!據市場表示，今年上半年MOSFET
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中興 ODM OEM MOSFET
- 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統的重要組成部分，其能夠幫助實現各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
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MOSFET DC/DC轉換 SQJQ480E
- IGBT基礎與運用 IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內。 理想等效電路與實際等效電路如圖所示： IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性(開關特性)。 動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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IGBT，MOSFET
mosfet 介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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