- 為了擴大生產規模，三星電子(Samsung Electronics)變更半導體制作產線的營運方式，將原本一座工廠內設置兩條產線的方式，變更為整座工廠只有一條產線的營運體系。
據南韓MT News報導，三星23日動工的京畿道華城半導體新工廠名稱，并不是當初預定的17號產線，而命名為16號產線。
三星相關人員指出，過去存儲器半導體市場規模較小，對于景氣好壞的循環相當敏感，因此過去采用一座工廠兩條產線方式，以換取投資時差并減低風險。
但目前三星在內存市場的規模已夠大，必須一次擴大生產量規模
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三星電子 DRAM
- 三星在DRAM及NAND中稱霸，年產值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。
南韓半導體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業務。業界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉變化有待觀察
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三星 DRAM NAND
- 南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產能，引發各方關注。臺塑集團總裁王文淵日前于內部會議表示，原先預期三星明年下半年啟動擴產，其進度比預期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發，今年將切入50、42納米制程，技術超越臺系廠商;對照先前65納米，生產成本優勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應戰。
三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產能，由于比原先預期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產業淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續產業前景，有偏多的立場。
南亞科董事
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三星電子 DRAM NAND 50納米
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業應該要節制擴產，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規模最大的投資計畫，主要以半導體產業為主，這對全球DRAM產業可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業者指出，三星此舉是看好未來3年PC市場成長率，但卻讓現階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍!
權五鉉3月中旬
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三星電子 DRAM
- 原本進入難產階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業者認為，在電子產業的傳統淡季還能維持此結果，算是滿意，至于第3季傳統淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區間震蕩就算是合理價位。
2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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三星電子 DRAM
- 據國外媒體報道，歐洲第二大芯片廠商英飛凌日前宣布，公司已經與日本爾必達就半導體技術專利糾紛達成和解。
英飛凌發言人Monika Sonntag今日在接受電話采訪時稱，雙方已經同意交叉授權半導體專利技術，公司不會公布和解協議的具體財務條款。
爾必達是日本最大的電腦內存芯片廠商，它與英飛凌就與微控制器有關的創新技術專利向美國地方法院和國際貿易委員會提出了訴訟。
英飛凌負責銷售、營銷與技術的管理委員會成員Hermann Eul表示：“我們期待著兩家公司能夠保持長久的和平關系。
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英飛凌 DRAM
- 英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權訴訟達成和解。英飛凌與爾必達均同意撤消所有未決專利侵權訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書，起訴爾必達及其客戶。爾必達隨后在弗吉尼亞州東部地區法院針對英飛凌提起兩項訴訟。
英飛凌與爾必達通過半導體技術專利交叉許可，就專利侵權訴訟達成和解。具體許可條款未透露。
英飛凌公司董事會成員兼銷售、營銷、技術和研發負責人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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英飛凌 DRAM
- 歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構成壟斷，并開出總額達3.31億歐元的罰單。
歐盟委員會當天發表聲明說，這些企業在動態隨機存儲器(DRAM)銷售上設定價格，其行為損害了市場競爭，違反歐盟反壟斷規定。
根據這一聲明，韓國三星電子公司被罰金額最高，為1.457億歐元，其次為歐洲第二大半導體生產商德國英飛凌科技公司和韓國現代電子產業公司，分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據悉，韓國三星電子公司和韓國現代電子產業公司去年在該存儲器全球市場中占據一半以上份
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三星電子 DRAM
- 市場調研機構Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場份額公司排名情況。在Q1排名中市場份額擴大的優勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場份額減少的失意者為海力士，爾必達，南亞和威邦。
Q1的市場排名中依銷售額計，三星居首位，接下來為海力士，爾必達，美光，力晶，南亞，威邦，茂德，東芝和鈺創科技。
臺灣的茂德與力晶半導體由于產能利用率近滿載，它們的銷售額大幅增加。Gartner的分析師Andrew Norwood認為力晶受益于其技術向Elpida的65nm XS技術過渡, 所以超
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三星 DRAM
- 三星電子前日宣布，今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內存芯片產能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD)，以及電視與手機業務。此外，加上研發支出，預計三星今年支出總額將達26兆韓元，較去年激增67%，如此大手筆讓人咋舌。
據悉，三星半導體業務總裁權五鉉3月在出席GSA內存大會時還表示，三星不會盲目擴大DRAM顆粒產量，但會重視產品價值，穩定產品價格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產能，而是應該把注意力放在工藝升級和高端產品的研發
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三星 DRAM 面板
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業應該要節制擴產，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規模最大的投資計畫，主要以半導體產業為主，這對全球DRAM產業可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業者指出，三星此舉是看好未來3年PC市場成長率，但卻讓現階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍!
權五鉉3月中旬
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三星電子 DRAM
- 三星電子在16號半導體生產線開工儀式上表示，2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產線位于韓國華城，將主要用于生產下一代存儲產品，2011年建成投產后預計能月產12英寸半導體晶片20萬片以上。
2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括：半導體領域11兆韓元、液晶領域5兆韓元、手機顯示領域2兆韓元以上、整體研發8兆韓元。經過此輪投資三星電子將實現30納米DRAM大規模量產、擁有能夠月產7萬片的第四條8代液晶面板生產線、擁有全球最大規模的AMOLED生產線等。這是三星集團繼前不久宣布向新產業投
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三星電子 DRAM AMOLED
- 原本進入難產階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業者認為，在電子產業的傳統淡季還能維持此結果，算是滿意，至于第3季傳統淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區間震蕩就算是合理價位。
2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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- 全球DRAM產業40納米大戰出現變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產能要全轉進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內部已決定將8萬片產能全數轉進63納米制程作為應變。DRAM業者皆認為，全球DRAM 產業的40納米正式對決時間點，會是在2011年!
瑞晶總經理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會有5~6臺
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三星電子 DRAM 40納米
- 2010年第1季全球NAND Flash產業市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據集邦統計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產業的產值規模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。
NAND Flash產業2009年率先落底反彈，但2010年表現空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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Samsung NAND DRAM
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