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步進(jìn)電機(jī)的加減速控制芯片設(shè)計(jì)

　　步進(jìn)電機(jī)(脈沖電動(dòng)機(jī))是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)，是數(shù)字控制的一種執(zhí)行元件，其可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速的目的。步進(jìn)電機(jī)具有轉(zhuǎn)矩大、慣性小、響應(yīng)頻率高等優(yōu)點(diǎn)，因此具有瞬間啟動(dòng)與急速停止的優(yōu)越特性。步進(jìn)電機(jī)在各種應(yīng)用場(chǎng)合下最大的優(yōu)勢(shì)是：可以開(kāi)環(huán)方式控制而無(wú)需反饋就能對(duì)位置和速度進(jìn)行控制，但也正是因?yàn)樨?fù)載位置對(duì)控制電路沒(méi)有反饋，步進(jìn)電機(jī)就必須正確響應(yīng)每次勵(lì)磁變化。如果勵(lì)磁頻率選擇不當(dāng)，電機(jī)不能夠移到新的位置，那么實(shí)際的負(fù)載位置相對(duì)控制器所期待的位置出現(xiàn)永久誤差
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不再依賴智能手機(jī) 聯(lián)發(fā)科投入60億美元搞研發(fā)

　　智能手機(jī)利潤(rùn)越來(lái)越微薄，為了減少對(duì)智能手機(jī)業(yè)務(wù)的依賴，臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科制定了5年投資計(jì)劃，積極研究新技術(shù)。本周五，聯(lián)發(fā)科董事長(zhǎng)蔡明介告訴媒體稱，為了保持增長(zhǎng)，聯(lián)發(fā)科將會(huì)在新領(lǐng)域大膽投資。之前召開(kāi)的股東大會(huì)平平靜靜，沒(méi)有一個(gè)問(wèn)題質(zhì)疑高管的決定。但從蔡明介的講話可以看出，轉(zhuǎn)變方向十分緊迫。　　蔡明介表示，在未來(lái)5年里，聯(lián)發(fā)科將會(huì)向7大新領(lǐng)域投入61.8億美元(2000億新臺(tái)幣，約408億人民幣)芯片研發(fā)資金。之前，人們將聯(lián)發(fā)科視為低價(jià)智能手機(jī)的推動(dòng)者。新進(jìn)入的7大領(lǐng)域包括自動(dòng)駕駛汽車、其它自動(dòng)化電子設(shè)備、
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芯片巨頭聚焦機(jī)器識(shí)圖技術(shù) 強(qiáng)化智能安防

　　ARM正式宣布以3.5億美元收購(gòu)英國(guó)嵌入式計(jì)算機(jī)視覺(jué)技術(shù)公司Apical。5月底英特爾也發(fā)出收購(gòu)了機(jī)器視覺(jué)初創(chuàng)公司Itseez的消息。在歷經(jīng)PC和手機(jī)市場(chǎng)巔峰時(shí)期之后，為保障企業(yè)持久的創(chuàng)新和創(chuàng)收能力，英特爾和ARM等芯片巨頭通過(guò)收購(gòu)有一定技術(shù)積累的企業(yè)相繼轉(zhuǎn)戰(zhàn)到計(jì)算機(jī)視覺(jué)市場(chǎng)。　　芯片巨頭收購(gòu)計(jì)算機(jī)視覺(jué)公司轉(zhuǎn)戰(zhàn)新競(jìng)技場(chǎng) 　　目前，計(jì)算機(jī)視覺(jué)依舊處于開(kāi)發(fā)的早期階段，部分創(chuàng)業(yè)型公司一旦在相關(guān)技術(shù)點(diǎn)上有所突破，其成就也顯而易見(jiàn)。被ARM相中的英國(guó)創(chuàng)業(yè)型Apical，即掌握著先進(jìn)的成像技術(shù)，這一技術(shù)已被
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中國(guó)科大等成功研制硅基導(dǎo)模量子集成光學(xué)芯片

　　中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授郭光燦領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室首次研制成功硅基導(dǎo)膜量子集成芯片。該實(shí)驗(yàn)室任希鋒研究組近日在量子集成光學(xué)芯片研究中取得新進(jìn)展，他們和浙江大學(xué)現(xiàn)代光學(xué)儀器國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授戴道鋅合作，在硅光子集成芯片上首次利用硅納米光波導(dǎo)本征模式作為量子信息編碼的新維度，實(shí)現(xiàn)了單光子態(tài)和量子糾纏態(tài)在偏振、路徑、波導(dǎo)模式等不同自由度之間的相干轉(zhuǎn)換，其干涉可見(jiàn)度均超過(guò)90%，為集成量子光學(xué)芯片上光子多個(gè)自由度的操縱和轉(zhuǎn)換提供了重要實(shí)驗(yàn)依據(jù)。相關(guān)成果于6月20日發(fā)表在《自然&middo
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將二極管邊緣終端的長(zhǎng)度縮短至1/5以下

　　富士電機(jī)與香港科技大學(xué)組成的研究小組在“ISPSD 2016”上發(fā)布了可縮小二極管的邊緣終端(Eedge Termination)區(qū)域的新技術(shù)。與以往設(shè)置保護(hù)環(huán)的邊緣終端相比，該技術(shù)可使邊緣終端的長(zhǎng)度縮短至1/5以下。　　隨著二極管不斷實(shí)現(xiàn)微細(xì)化，作為元件發(fā)揮作用的主動(dòng)區(qū)域越來(lái)越小，邊緣終端在二極管芯片中所占的比例則越來(lái)越大。尤其是輸出電流較小的二極管，邊緣終端所占的比例更大。在用于白色家電等的耐壓600V的5A二極管中，邊緣終端的長(zhǎng)度約為350μm，在整個(gè)芯片面積中
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國(guó)產(chǎn)自主芯片"神威太湖之光"雄霸全球超算500強(qiáng)榜首

　　新一期全球超級(jí)計(jì)算機(jī)500強(qiáng)榜單20日公布，使用中國(guó)自主芯片制造的“神威太湖之光”取代“天河二號(hào)”登上榜首，中國(guó)超算上榜總數(shù)量也有史以來(lái)首次超過(guò)美國(guó)名列第一。　　據(jù)國(guó)際TOP500組織當(dāng)天發(fā)布的榜單，“神威太湖之光”的浮點(diǎn)運(yùn)算速度為每秒9.3億億次，不僅速度比第二名“天河二號(hào)”快出近兩倍，其效率也提高3倍。更重要的是，與“天河二號(hào)”使用英特爾芯片不一樣，“神威太湖之光
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北斗導(dǎo)航芯片達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平國(guó)內(nèi)三分之一手機(jī)搭載

　　6月16日，國(guó)務(wù)院新聞辦公室發(fā)布了《中國(guó)北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)》白皮書。中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)管理辦公室主任、北斗系統(tǒng)新聞發(fā)言人冉承其在今天上午舉行的國(guó)新辦發(fā)布會(huì)上表示，經(jīng)過(guò)多年的努力，我國(guó)北斗產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況目前非常“可喜”，未來(lái)還會(huì)帶動(dòng)整個(gè)位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)生革命性的變化。　　冉承其說(shuō)，目前，我國(guó)在北斗導(dǎo)航領(lǐng)域已經(jīng)具備了一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。“非?？上驳氖?，幾年下來(lái)，我們國(guó)家已經(jīng)完全實(shí)現(xiàn)了核心芯片、終端板卡、天線等等的自主可控，并且具有國(guó)際先進(jìn)水平。我們現(xiàn)在最好的芯片已經(jīng)是國(guó)際最先進(jìn)
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不止安企芯片巨頭同樣緊盯機(jī)器識(shí)圖技術(shù)

在“網(wǎng)絡(luò)化”，“高清化”，“智能化”成為安防主要方向的當(dāng)下，目前市場(chǎng)上的視頻監(jiān)控產(chǎn)品已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)化和高清化的標(biāo)準(zhǔn)，因此下一輪市場(chǎng)巨變將在“智能”上實(shí)現(xiàn)突破。
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美高森美SparX-IV管理型以太網(wǎng)交換芯片系列新增最低功耗產(chǎn)品

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布SparX-IV以太網(wǎng)交換芯片產(chǎn)品系列中的最新成員VSC7440 SparX-IV-34，經(jīng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高成本效益、更小外形尺寸和更低功耗的2.5G和10 gigabit以太網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)解決方案。這個(gè)完全L2/L3管理型 (managed) 以太網(wǎng)交換芯片具有最多10個(gè)端口，支持1G、2.5G和10G以太網(wǎng)端口組合，面向包括中小型公司(SMB)、中小型企業(yè)(SME)和工業(yè)以太網(wǎng)
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“強(qiáng)芯”計(jì)劃開(kāi)啟中國(guó)“芯”未來(lái)美好

目前，與國(guó)外集成電路產(chǎn)業(yè)相比，我國(guó)還存在規(guī)模小、核心技術(shù)不顯的劣勢(shì)，亟待改善。對(duì)內(nèi)整合、對(duì)外并購(gòu)是集成電路產(chǎn)業(yè)擴(kuò)大規(guī)模、提高核心技術(shù)的“捷徑”，在未來(lái)這兩大現(xiàn)象將成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展主流。
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華為在歐洲插旗吶喊地球另一端也撕開(kāi)一道口子

　　一邊插旗吶喊，一邊低聲不語(yǔ)，這是目前華為在歐洲和美國(guó)市場(chǎng)截然不同的生存狀態(tài)。　　正在法國(guó)舉行的華為第四屆歐洲創(chuàng)新日上，華為宣布在法國(guó)設(shè)立數(shù)學(xué)研究中心。這是繼成立俄羅斯數(shù)學(xué)研究所后，華為在加強(qiáng)基礎(chǔ)科學(xué)尤其是數(shù)學(xué)算法研究方面又一舉措。在外界來(lái)看，這也是華為進(jìn)一步占領(lǐng)歐洲市場(chǎng)的重要戰(zhàn)略部署。　　據(jù)了解，本屆大會(huì)的主題定為科技之美，參會(huì)人員涉及教育家、數(shù)學(xué)家、藝術(shù)家、科學(xué)家等多個(gè)領(lǐng)域。華為常務(wù)董事、戰(zhàn)略Marketing總裁徐文偉稱，華為在法國(guó)成立數(shù)學(xué)研究所，就是要通過(guò)數(shù)學(xué)算法在基礎(chǔ)科學(xué)上取得突破，數(shù)
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北斗導(dǎo)航芯片成本已降至10元以內(nèi)

　　國(guó)務(wù)院新聞辦公室發(fā)布了《中國(guó)北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)》白皮書。中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)管理辦公室主任、北斗系統(tǒng)新聞發(fā)言人冉承其在今天上午舉行的國(guó)新辦發(fā)布會(huì)上表示，經(jīng)過(guò)多年的努力，我國(guó)北斗產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況目前非常“可喜”，未來(lái)還會(huì)帶動(dòng)整個(gè)位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)生革命性的變化。　　冉承其說(shuō)，目前，我國(guó)在北斗導(dǎo)航領(lǐng)域已經(jīng)具備了一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。“非常可喜的是，幾年下來(lái)，我們國(guó)家已經(jīng)完全實(shí)現(xiàn)了核心芯片、終端板卡、天線等等的自主可控，并且具有國(guó)際先進(jìn)水平。我們現(xiàn)在最好的芯片已經(jīng)是國(guó)際最先進(jìn)的水平
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華為研發(fā)投入計(jì)劃提升至總收入的30%

　　塞納河邊的散步，香榭里舍林蔭下的低徊，浪漫的法國(guó)總讓人心怡神往，殊不知，這里還是全球創(chuàng)新最活躍的地方。　　當(dāng)?shù)貢r(shí)間14日下午，在華為第四屆歐洲創(chuàng)新日上，華為公司常務(wù)董事、戰(zhàn)略Marketing總裁徐文偉表示，歐洲是華為的戰(zhàn)略重地，華為的數(shù)學(xué)、芯片研究中心坐落在法國(guó)，去年華為在歐洲投入創(chuàng)新研發(fā)超過(guò)3億美元。　　據(jù)了解，本次會(huì)議主題是技術(shù)之美，而以技術(shù)起家的華為試圖探索如何利用技術(shù)讓世界變得更加美好。　　眾所周知，華為每年在創(chuàng)新研發(fā)上的投入非常龐大，是公司總收入的10%至15%，去年華為總投入
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高階手機(jī)銷售頻觸礁品牌廠自制芯片恐退潮

　　蘋果(Apple)、三星電子(Samsung Electronics)憑藉自行開(kāi)發(fā)手機(jī)應(yīng)用處理器(AP)，在全球高階手機(jī)市場(chǎng)獨(dú)占鰲頭，近年來(lái)包括樂(lè)金電子(LG Electronics)、華為、小米及其他國(guó)際手機(jī)品牌廠紛傳出跟進(jìn)投入手機(jī)AP芯片開(kāi)發(fā)，爭(zhēng)相尋求安謀(ARM)IP授權(quán)，然2016年高階手機(jī)市場(chǎng) 需求疲軟，面對(duì)自制AP芯片投資偏高，業(yè)者預(yù)期未來(lái)恐僅有蘋果、三星及華為才能繼續(xù)玩下去，其他品牌廠自制手機(jī)AP芯片恐將明顯退潮。　　近期高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科毛利率表現(xiàn)持續(xù)下滑，凸顯全球
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芯片超級(jí)電容器又添新材料：多孔硅

　　多年來(lái)，能裝在芯片上的微小超級(jí)電容一直廣受科學(xué)家追捧，決定電容器性能的關(guān)鍵是其電極材料，有潛力的“選手”包括石墨烯、碳化鈦和多孔碳等。據(jù)德國(guó)《光譜》雜志網(wǎng)站近日?qǐng)?bào)道，芬蘭國(guó)家技術(shù)研究中心(VTT)研究團(tuán)隊(duì)最近把目光轉(zhuǎn)向了一種“不可能”的弱電材料——多孔硅，為了把它變成強(qiáng)大的電容器，團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在其表面涂了一層幾納米厚的氮化鈦涂層，使其性質(zhì)得以改變。　　該團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人麥卡·普倫尼拉解釋說(shuō)，因化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致的不穩(wěn)定性和高
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