近日，多家媒體廣泛報道了日本三大半導體企業瑞薩電子、富士通及松下公司將要進行芯片業務合并的事情。據了解，這三家公司將按照合作計劃，拆分各自的系統芯片設計和開發部門，用各自剝離出來的芯片設計研發部門組建一個新公司，而且合并計劃還得到日本政府投資基金Innovation Network的注資。新公司成立后，有可能與近年新成立的總部位于美國加州的Globalfoundries公司合作，由Globalfoundries來承擔新公司的產品生產。且不說今后的發展如何，僅從目前的進展來看，已反映出日本政府、企業界對
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爾必達 半導體
屏東出現6.1級地震，臺南市最高震度達到五級，南科則達四級，半導體與面板產業震程都因為震度超出設計的防護震度、自動當機，奇美電廠區26日疏散員工。在南科設廠的臺積電、聯電、奇美電表示，目前正清查制程延誤及在制品損失，尚無法判斷受影響的程度。
南科地震震度已達到機臺設備所設定的自動保護裝置的震度，廠區內的半導體與面板廠商機臺都出現自動斷電，廠商在檢查相關設備、機臺的狀況后，陸續恢復生產，估計將影響一定程度的產量。
以面板廠商而言，廠務人員指出，昨天的震度不致造成災損，敏感機臺如曝光機、濺鍍機
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臺積電 半導體
據中國時報安侯建業聯合會計師事務所(KPMG)日前發表「全球半導體產業調查」報告表示，未來成長動能仍以手機及無線通訊商品為主，智慧型手機將扮演領頭羊角色。但無論是營業或獲利成長預期，全球半導體產業經理人普遍對今年景氣看法保守，企業持續降低資本支出，就業市場不樂觀，智財侵權事件將增加。
KPMG去年底針對全球155家晶圓、IC設計及封裝等半導體產業的高階管理人，進行「全球半導體產業調查」，過半受訪企業年營業額皆超過美金10億元。
KPMG科技、媒體與電信業副主持會計師區耀軍指出，不論是營業成
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半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發明后，在家電、通信、網絡、航空、航天、國防等領域得到廣泛應用，給電子工業帶來革命性的影響。2010年，全球半導體市場達到2983億美元，拉動上萬億美元的電子產品市場。
伴隨著半導體市場的壯大，半導體材料也不斷獲得突破。王占國介紹，一般將鍺和硅稱為第一代半導體材料。將砷化鎵、磷化銦等稱為第二代半導體材料，而將寬禁帶的碳化硅、氮化鎵和金剛石等稱為第三代半導體材料。
第一代材料中，12英寸單晶硅已經大規模生產，18英寸單晶硅已在實
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2012年2月23日，英特爾發言人查克·穆洛伊(Chuck Mulloy)透露英特爾將開展代工業務，這看上去似乎可能成為今年半導體制造業最大變動，但事實確實如此嗎?英特爾究竟在下的是一盤怎樣的棋局?
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新型半導體激光器問世可避免對人眼造成傷害日前，由中科院西安光學精密機械研究所與數名留學回國人員組 ...
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應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款全新低壓降(LDO)穩壓器IC產品。新器件基于公司領先市場的汽車電源管理方案設計，非常適用于汽車
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被譽為半導體奧林匹克的國際會議“ISSCC2012”于20日在美國舊金山開幕。開幕前一天舉行了“Flash-Memory Based Circuit, System, and Platform Design”與“Mobile GHz Processor Design Techniques”的發布會，以及“Robust VLSI Circuit Design and Systems for Sustainable Soc
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據東莞時報“政府出題、企業應征”2010年東莞市重大科技專項項目下達 。 經2011年第27次市黨政領導班子聯席會議討論，東莞市將對2010年度市重大科技專項《純電動汽車集成開發關鍵技術研究及應用》、《電動汽車動力電池關鍵技術研發與產業化》、《第三代半導體碳化硅外延晶片研發及產業化》、《半導體照明產品質量檢測與評價體系的研究》4個項目分別立項資助2800萬元、700萬元、800萬元和500萬元，資助總額4800萬元。
2010重大科技專項鎖定電動汽車和半導體等專題
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全球半導體產業奉為圭臬的摩爾定律(Moore’s Law)發展雖有面臨瓶頸的挑戰，然目前半導體業者仍積極發展新材料，并在制程微縮上加緊腳步，國研院國家納米元件實驗室便表示，「三角型鍺鰭式晶體管」技術可克服矽基材上的鍺通道缺陷問題，讓半導體技術進入10納米制程。
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中國，2012年2月21日 ——橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)近日宣布Carlo Ferro接受公司新的任命，擔任ST-Ericsson公司首席運營官，致力于實現公司的全面轉型。
意法半導體總載兼首席執行官Carlo Bozotti表示：“在Ferro擔任首席財務官的6年中，我們
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2016年將完成多種半導體異質整合水平
TSV3DIC技術雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術發展速度可說是相當緩慢，DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOSImageSensor以TSV3DIC技術加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV3DIC實用化的序幕。
于此同時，全球主要芯片制造商制程技術先后跨入奈米級制程后，各廠商亦警覺到除微縮制程技術將面臨物
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機電式繼電器被公認是可靠、具魯棒性的低成本器件。繼電器的制造量與日俱增，并被成功運用于實現信號和能量分...
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行動裝置將成為2012年半導體產業復蘇的重要推手。尤其在整體經濟環境趨于明朗后，行動裝置強勁的發展動能，更可望帶動半導體元件需求快速回升;至于面板與太陽能等產業的反彈速度則相對較慢。
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2011年是全球電子產業的調整期，在內外宏觀經濟都不太樂觀、各產業不斷跨界融合的背景之下，半導體應用聯盟邀請各電子產業的精英們對2012年產業的熱點及趨勢展開了交流討論，筆者在此擇其精要做一歸納解讀。
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半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [
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