半導體設備暨材料協會（SEMI）公布七月份北美半導體設備訂單出貨比（B/BRatio）達0.84，創下今年以來新低，同時也是2005第二季以來最低點，不過就前段晶圓制造設備訂單金額來看，卻剛由2000年以來高點下滑而已。業者分析此一數據后表示，B/B值自○五年首季落底開始上揚以來，主要資本支出就集中在DRAM廠及NAND廠，所以七月B/B值創下低點，正好代表記憶體廠已有縮減資本支出動作，及說明了記憶體市場景氣并不強勁。 若由歷史資料來看，北美半導體
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SEMI日前公布2007年第二季度全球半導體制造設備營業額為110.6億美元，比第一季度增長3%，比去年同期增長15%。該數據是由日本半導體設備協會(Semiconductor Equipment Association of Japan, SEAJ)協作提供的，來源于全球范圍內超過150家設備公司每月提供的數據。 同時，SEMI公布第二季度全球半導體設備訂單額為102.2億美元，比第一季度和去年同期分別減少4%和18%。 從各地區來看，歐洲和北美半導體設
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國際半導體設備暨材料協會（SEMI）發表報告說，今年第二季度全球半導體制造設備銷售額達到了110.6億美元。這個數字與今年第一季度相比，增長了3%，與去年同期相比增長了約15%。 該數據是國際半導體設備暨材料協會與日本半導體設備協會（SEAJ）合作，收集全球150多家設備公司提供的月數據得出的。 國際半導體設備暨材料協會還報告說，今年第二季度全球半導體設備訂單額達102.2億美元。這個數字與去年同期相比下降了18%，與今年第一季度的訂單數字相比下降了約4%。
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賽迪顧問發布了今年上半年半導體產業研究報告稱，上半年中國芯片總產量達到192.74億片，較2006年同比增長15.2%；整個產業的銷售總額約607.22億元，同比增長33.2%。與去年上半年48%的增幅相比，回落近15%。 賽迪顧問半導體產業研究中心咨詢師李珂表示，增幅回落比例最大的是芯片設計行業，由50.8%下滑至22.8%。主要原因是下游的MP3、攝像頭等消費類終端市場增長乏力，導致設計業銷售額僅為95.32億元人民幣。 兩家最大設計企業珠海炬力、中星微業績慘淡。第二季，前者營收僅2700萬美
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????隨著人們生活質量的不斷提高，從全球范圍來看，市場對醫療電子產品的需求越來越大，尤其是對計算機斷層掃描儀、磁共振儀、高檔超聲波診斷儀器等高端產品需求的快速增長，有力帶動了全球醫療電子市場規模的擴大。與此同時，市場需求的增長大大刺激了各國在醫療電子領域的投入力度，醫療電子設備制造商不斷提高技術水平，擴大創新應用，促進了全球醫療電子產業的平穩發展，有力支持了醫療電子市場需求的增長。但由于醫療電子產品的生命周期較普通消費型電子產品長，因此產品更新換代過程相對較長，從
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臺北車用電子商機推動辦公室(TCPO)針對中國汽車電子市場發表研究報告指出，因中國汽車生產數量不斷增加，再加上車用電子設備成為下一波車廠新增的設備需求，因此中國汽車電子市場也不斷成長；而根據市場研究公司賽迪顧問信息(CCIDConsulting)的調查報告統計數字顯示，中國汽車電子市場在2007年約在144.6億美金，預計到2011年可達316億美元。 TCPO指出，若以汽車電子應用范圍來比較，以20
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8月7日，株式會社瑞薩科技在北京發布了新的中國戰略，期望到2010財年之前在中國的銷售額能夠增長100%，并且MCU、TV用LSI和汽車半導體等重點領域的產品市場份額同步擴大100%。瑞薩希望通過與中國的合作，研發適合中國市場的產品，使本地業務得到更快發展。未來，瑞薩不僅期望銷售額能夠大幅增長，并且計劃大幅度提升在中國工廠的設計能力和產能，產能目標是在五年之內提升到目前的3倍。中國半導體行業市場有什么發展特點？瑞薩在中國本地化業務如何發展？瑞薩如何培養本地化
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今年臺灣地區廠商的半導體資本支出將提高40億美元，達到130億美元。“從整體產業來看，我們預測今年資本支出將增長5%?！盨MA的總裁George Burns在報告中表示?！皫缀跛性鲩L都發生在臺灣地區?！?SMA預測，中國大陸和東南亞資本支出將微幅增長，美國和歐洲企業的半導體資本支出將沒有增長。Burns表示，日本的資本支出將“明顯萎縮”，預計下降15%?！绊n國廠商在削減支出。”他說?！暗渲С鰞H下降1%?！?SMA報告稱，臺灣地區廠商今年占資本支出的份額升至22%，表現突出?！芭_灣地區資本支出
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據國外媒體報道，市場調查公司IMS Research表示，業界傳言歐洲二個最大的芯片制造商意法半導體和英飛凌科技將進行合并，這一收購將引起歐盟反壟斷監管機構的高度關注。
路透社日前報道意法半導體將以每股12.50歐元的價格收購英飛凌科技，新的合并將組建一個歐洲半導體巨頭，它們在歐洲將擁有三分之一的邏輯芯片市場份額。足以吸引歐盟反壟斷監管機構對收購進行評估。
組合后的公司同時將阻礙邏輯芯片市場的競爭對手。新公司將成為全球最大的邏輯芯片提供商，在全球擁有的份額將超過15%。
調研公司研究
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飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)現已擴展其全球功率資源中心(GlobalPowerResourceSMCenter)，在美國密歇根州的AnnArbor增設機構。這個新的設計中心靠近北美汽車市場的中心，能滿足在汽車功率應用方面對功能性功率解決方案(包括多芯片模塊)不斷增長的需求。這一中心雇用了資深的電子工程師，他們擁有豐富的設計經驗，對當今汽車設計的應用需求有著透徹了解。這支工程隊伍擁有總計超過60年的汽車產品開發經驗。 &nbs
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首爾半導體(Seoul Semiconductor Co., Ltd.)，韓國光發射二極管(LED)環保照明技術生產商，宣布與臺灣LED照明技術生產商AOT的專利權訴訟取得勝訴。事情源于AOT入稟法院，申請首爾半導體的“暖白LED”環保照明技術在臺灣的專利權無效。此外，首爾半導體在韓國與Itswell和Mediana Electronics等公司就有關的專利權訴訟，也同時取得勝訴。 2005年8月，首爾中央地區法院(Seoul Centra
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Dassault Systemes (DS) 全球產品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D技術的領導者，日前宣布為其業內領先的半導體設計管理方案——ENOVIA MatrixOne Synchronicity DesignSync 5.0推出最新插件，該插件使程序員可以在microsoft Visual Studio設計平臺下工作，換言之，它們可以在自己熟悉的桌面環境下存取、管理和協同DesignSync文件，而不
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半導體基礎技術小結
1. 半導體有光敏、熱敏和摻雜特性。
２.PN 結具有單向導電性， P ＋ N － 導通， P － N ＋ 截止。
3. 二極管的內部就是一個 PN 結，正向偏置導通，反向偏置截止。
4. 三極管內部有二個 PN 結，三極管放大的實質是以很小的基極電流控制較大的集電極電流。發射結正偏，集電結反偏，三極管工作在放大狀態，在放大狀態時 I C ＝ β I B I E ＝ I B ＋ I C ＝（ 1 ＋ β ） I B
5. 場效應管是以很小的柵源電壓控制較大的漏極電流。
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1 三極管的結構和分類
三極管在模擬電子電路中其主要作用是構成放大電路。
結構： 三個區、 二個結、 三個電極。
分類：三極管如按結構可分為 NPN 型和 PNP 型；按所用的半導體材料可分為硅管和鍺管；按功率可分為大、中、小功率管；按頻率特性可分為低頻管和高頻管等。
2 電流分配和放大作用
三極管放大條件：發射結正偏，集電結反偏。
1. 發射區發射電子形成 I E ＝ I B ＋ I C
2. 基區復合電子形成 I B
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半導體基礎知識
一、物體按導電能力分類
導體： 導電能力強，如金屬。
絕緣體： 導電能力很差，如橡膠、陶瓷。
半導體： 導電能力介于導體與絕緣體之間。
二、半導體的原子結構
現代半導體材料主要使用硅和鍺（S i：14；G e：32），其外層 均有四個價電子，而原子核和除價電子外的內層電子組成慣性核。 其簡化模型為：
三、半導體晶體結構
共價鍵制造半導體器件的硅和鍺是單晶材料，具有金剛石結構，每個原 子和相鄰四個原子結合，每個原子的外層四個價電子分別與相鄰的四個 原子的價電
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