- 8月的最后一個周三，全球半導體產業的非盈利機構GSA(半導體聯盟)迎來一名新成員，英文名XMC。
說到這位“新人”，GSA亞太區執行長王智立博士這樣描述：“在新興半導體制造領域中，XMC正扮演著創新且重要的角色”。
這家公司的中文名字叫武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”)，目前芯片產能排名中部第一。從2006年首條12英寸芯片生產線建成，經歷了七年之癢的武漢新芯重回公眾視野，卻代表著光谷的雄心&mdas
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半導體 光纖
- 臺灣半導體產業協會(TSIA)理事長暨鈺創科技董事長盧超群表示，今年將是3D IC從研發到導入量產的關鍵年，3D IC元年最快明年來臨，往后十年半導體產業將走出一個大多頭，重現1990年代摩爾定律為半導體產業帶來的爆發性成長。
隨著矽元件趨近納米極限，摩爾定律開始遭遇瓶頸，各界期盼立體堆疊3D IC技術延續摩爾定律
存儲器芯片設計公司鈺創董事長盧超群上半年接任臺灣半導體產業協會理事長，他希望透過協會的影響力，帶領臺灣半導體產業參與各項國際半導體規格制定、提升人才參與及素質，并讓國內外科技投
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半導體 3D
- 曼谷和東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation，TOKYO:6502)宣布，該公司旗下的泰國公司東芝半導體(泰國)公司(Toshiba Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.，簡稱TST)已經完成向新半導體制造工廠的搬遷工作，并開始量產，象徵著該公司已經從2011年災難性大洪水中完全恢復過來。
新廠位于曼谷東北方向約140公里處，這是一座位于泰國巴真府(Prachinburi)304工業園區的最先進工廠。這座工廠的建設始于2012
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東芝 半導體
- ：ICInsights日前公布2013年上半年全球前十大半導體廠營收排名，其中，日本半導體業者受到產業競爭加劇及垂直整合商業模式式微的沖擊，進榜業者已愈來愈少，目前僅存東芝(Toshiba)一家仍榜上有名，相較于1990年時最多六家同時上榜的紀錄已大幅減少。
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2013年前十大半導體廠排名 日本急劇衰落
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Toshiba 半導體
- 將助推石墨烯在半導體工業界廣泛應用
記者從中科院上海微系統所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組與超導課題組，采用化學氣相淀積法，在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質量單層石墨烯。相關成果日前發表于《自然》雜志子刊《科學報告》。
石墨烯在機械、電學、光學和化學方面的優異性能，使其具有巨大的應用前景。目前，化學氣相沉積法是制備高質量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是，在石墨烯的生長過程中，金屬基底是必不可少的催化劑，而隨后的應用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉移到所需要的絕緣或者半
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石墨烯 半導體
- 第三代半導體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出，最有發展前景。第三代半導體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石，其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導率和更成熟的技術，而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優點則使其擁有更快的研發速度。兩者的不同優勢決定了應用范圍上的差異，在光電領域，GaN占絕對的主導地位，而在其他功率器件領域，SiC適用于1200V以上的高溫大電力領域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領域。目前來看，未來2
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半導體 晶圓制造
- 電子板塊五個交易日上漲2.46%，排在23個行業中第4位，成交金額512.70億元，資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為：億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為：華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。
行業動態觸控筆記本OGS面板低價版問世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國內液晶電視面板自給率超過3成
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半導體 電子設備
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代，設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術后，另一設備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈，對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯電等大
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半導體 20納米
- EDA業者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯電和英特爾(Intel)等半導體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發，EDA工具開發商也亦步亦趨，并爭相發布相應解決方案，以協助IC設計商克服電晶體結構改變所帶來的新挑戰，卡位先進制程市場。
16/14奈米(nm)先進制程電子設計自動化(EDA)市場戰火正式點燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結構不僅提升晶片設計困難度(圖1)，更可能拖累產品出貨時程，為協助客戶能突破Fi
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半導體 14nm
- 推動半導體業進步有兩個輪子，一個是工藝尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，而且總是尺寸縮小為先。由半導體工藝路線圖看，2013年應該進入14納米節點，觀察近期的報道，似乎已無異議，而且仍是英特爾挑起大樑。盡管摩爾定律快“壽終正寢”的聲音已不容置辯，但是14nm的步伐仍按期走來，原因究竟是什么?
傳統光刻技術與日俱進
當尺寸縮小到22/20nm時，傳統的光刻技術已無能力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術。
提高光刻的分辨率有3個途徑：縮短曝光波長、增大鏡頭數值孔徑NA
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ASML 半導體
- 半導體技術正推動醫療保健產業變革。在半導體業者的努力下，MEMS感測器和致動器、低功耗微控制器，以及無線收發器的效能不斷提升，且功耗大幅降低，因而有助電子產品制造商為可攜式醫療電子設備增添智慧化功能，從而加速行動醫療及遠距照護發展。
意法半導體執行副總裁暨大中華與南亞區總裁紀衡華
過往醫療設備體積龐大，占滿整個房間，現今醫療設備已不斷變小、變輕，并創造許多新的應用，例如很多新的穿戴式醫療設備已被設計得十分隱蔽，不易被人發現。如同智慧型手機和游戲機一樣，可攜式醫療設備可全天候工作，讓病患與醫
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半導體 MEMS
- SEMICON Taiwan 2013國際半導體展下月起跑，今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機械及系統級封裝等為主題，另有LED(Light Emitting Diode，發光二極體)制程特展，同時也將舉辦15場國際論壇及邀請多家知名企業主參與，預料將成注目焦點。
國際半導體設備材料產業協會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
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半導體 3D
- 中國半導體業究竟要實現什么樣的目標?有宏大的目標如“建立自主可控的中國半導體業體系”。由于自主與可控的范圍太大，離目前產業發展水平還稍有點遠，我們可以把它稱之為中國半導體業的終極目標。還有一個目標即中國半導體業的“十二五”規劃，簡要概括是實現銷售額3300億元，以及國產化率達到30%，還有諸如銷售額達到多少億元的芯片生產線共有多少條等。站在不同立場，對于中國半導體業要實現的目標理解可能不盡相同。實際上IC國產化率才是反映中國半導體業綜合競爭力提高的主要指
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半導體 IC代工
- 隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代，設備廠也展開新一波的搶單計劃。
在應用材料于其SEMVision系列設備上引進首創缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術后，另一設備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學及電子束晶圓缺陷檢測系統。隨著兩大設備廠已搶進臺積電及英特爾供應鏈，對于國內設備廠漢微科來說競爭壓力大增。
雖然半導體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯電等大
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半導體 20納米
- 半導體業已經邁入14nm制程，2014年開始量產。如果從工藝制程節點來說，傳統的光學光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術可能達到10nm，這意味著如果EUV技術再次推遲應用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。除非等到EUV技術成熟，制程才能再繼續縮小下去。依目前的態勢，即便EUV成功也頂多還有兩個臺階可上，即7nm或者5nm。因為按理論測算，在5nm時可能器件已達到物理極限。
工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標。眾所周知，推動市場進步的是終端電子產品的市場需求，向著更
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半導體 14nm
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