適用于小功率電機驅(qū)動的MOSFET逆變模塊設計

IC。在實際應用中，當負載電流非常大，或有沖擊電涌噪聲施加在VB或VS端時，VB可能在很短時間內(nèi)被拉到0V以下。除了對HVIC本身造成破壞外，還會使HVIC出現(xiàn)誤操作或閂鎖現(xiàn)象。當HVIC出現(xiàn)閂鎖時，其行為將不可預測，而且，即使在恢復正常狀態(tài)后，也可能被電源端之間的過量電流損壞。這類現(xiàn)象與HVIC的設計規(guī)則緊密相關，在設計階段就應排除這種隱患。當HVIC產(chǎn)生誤操作時，誤操作導致的非正常關斷可能中斷正常的控制動作，但不大可能導致整個系統(tǒng)的破壞。然而，如果高壓側(cè)SR閂鎖電路因電涌噪聲而異常開啟，高壓側(cè)功率 MOSFET將處于非控導通狀態(tài)，且不能在輸入信號的脈沖負沿到來時復位。這種行為很可能在逆變器的某一管腳上造成短路，進而破壞功率模塊。為了防止這種現(xiàn)象，設計模塊的HVIC時，我們針對可能出現(xiàn)的工作和環(huán)境條件，將出現(xiàn)誤操作的可能性降到最低。同時，當過量的電涌或沖擊噪聲施加在器件上時，電平漂移單元和SR閂鎖電路被設計成具有關斷優(yōu)先的特性。

　　結論

　　本文討論了面向小功率電機驅(qū)動應用的新型高集成、低噪聲MOSFET逆變模塊。該模塊專為100W無刷直流內(nèi)置電機驅(qū)動系統(tǒng)而開發(fā)。本文還討論了該模塊所采用的封裝技術、MOSFET和HVIC，以及其應用特點。