DS18B20相關總結
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5，執行或數據讀寫：一個存儲器操作指令結束后則將進行指令執行或數據的讀寫，這個操作要視存儲器操作指令而定。如執行溫度轉換指令則控制器（單片機）必須等待 18B20 執行其指令，一般轉換時間為 500uS。如執行數據讀寫指令則需要嚴格遵循 18B20 的讀寫時序來操作。數據的讀寫方法將有下文有詳細介紹。
若要讀出當前的溫度數據我們需要執行兩次工作周期，第一個周期為復位、跳過 ROM 指令、執行溫度轉換存儲器操作指令、等待 500uS 溫度轉換時間。緊接著執行第二個周期為復位、跳過 ROM指令、執行讀 RAM 的存儲器操作指令、讀數據（最多為 9 個字節，中途可停止，只讀簡單溫度值則讀前 2 個字節即可）。其它的操作流程也大同小異，在此不多介紹。
DS28B20 芯片 ROM 指令表：
Read ROM（讀 ROM）[33H] （方括號中的為16進制的命令字） 這個命令允許總線控制器讀到 DS18B20 的 64位 ROM。只有當總線上只存在一個 DS18B20 的時候才可以使用此指令，如果掛接不只一個，當通信時將會發生數據沖突。
Match ROM（指定匹配芯片）[55H]
這個指令后面緊跟著由控制器發出了 64 位序列號，當總線上有多只 DS18B20 時，只有與控制發出的序列號相同的芯片才可以做出反應，其它芯片將等待下一次復位。這條指令適應單芯片和多芯片掛接。
Skip ROM（跳躍 ROM 指令）[CCH]
這條指令使芯片不對 ROM 編碼做出反應，在單總線的情況之下，為了節省時間則可以選用此指令。如果在多芯片掛接時使用此指令將會出現數據沖突，導致錯誤出現。
Search ROM（搜索芯片）[F0H]
在芯片初始化后，搜索指令允許總線上掛接多芯片時用排除法識別所有器件的 64位 ROM。
Alarm Search（報警芯片搜索）[ECH]
在多芯片掛接的情況下，報警芯片搜索指令只對附合溫度高于 TH 或小于 TL報警條件的芯片做出反應。只要芯片不掉電，報警狀態將被保持，直到再一次測得溫度什達不到報警條件為止。
DS28B20 芯片存儲器操作指令表：
Write Scratchpad（向 RAM中寫數據）[4EH]
這是向 RAM 中寫入數據的指令，隨后寫入的兩個字節的數據將會被存到地址 2 （報警RAM 之 TH）和地址 3（報警 RAM 之 TL）。寫入過程中可以用復位信號中止寫入。
Read Scratchpad （從RAM 中讀數據）[BEH]
此指令將從 RAM 中讀數據，讀地址從地址 0 開始，一直可以讀到地址 9，完成整個 RAM 數據的讀出。芯片允許在讀過程中用復位信號中止讀取，即可以不讀后面不需要的字節以減少讀取時間。
Copy Scratchpad （將 RAM 數據復制到 EEPROM中）[48H]
此指令將 RAM 中的數據存入 EEPROM中，以使數據掉電不丟失。此后由于芯片忙于 EEPROM儲存處理，當控制器發一個讀時間隙時，總線上輸出“0”，當儲存工作完成時，總線將輸出“1”。在寄生工作方式時必須在發出此指令后立刻超用強上拉并至少保持 10MS，來維持芯片工作。
Convert T（溫度轉換）[44H]
收到此指令后芯片將進行一次溫度轉換，將轉換的溫度值放入 RAM 的第 1、2 地址。此后由于芯片忙于溫度轉換處理，當控制器發一個讀時間隙時，總線上輸出“0”，當儲存工作完成時，總線將輸出“1”。在寄生工作方式時必須在發出此指令后立刻超用強上拉并至少保持 500MS，來維持芯片工作。
Recall EEPROM（將 EEPROM中的報警值復制到 RAM）[B8H]
此指令將 EEPROM中的報警值復制到 RAM 中的第 3、4 個字節里。由于芯片忙于復制處理，當控制器發一個讀時間隙時，總線上輸出“0”，當儲存工作完成時，總線將輸出“1”。另外，此指令將在芯片上電復位時將被自動執行。這樣 RAM 中的兩個報警字節位將始終為 EEPROM中數據的鏡像。
Read Power Supply（工作方式切換）[B4H]
此指令發出后發出讀時間隙，芯片會返回它的電源狀態字，“0”為寄生電源狀態，“1”為外部電源狀態。本文引用地址：http://www.104case.com/article/201612/324456.htm
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