惠普海力士合作開發憶阻器存儲

惠普公司今天宣布，已經和韓國海力士半導體達成合作研發協議，雙方將共同致力于在未來的產品中使用Memristor憶阻器技術，即使用電阻實現存儲的ReRAM(Resistive Random Access Memory電阻式存儲器)。

憶阻器技術的研究實際上已有數十年的歷史。1971年，加州大學伯克利分校Leon Chua教授預測，在電容、電阻和電感之外，還存在第四種基本元件：記憶電阻(Memristor)。這種電阻能夠通過施加不同方向、大小電壓，改變其阻值。由于可以使用不同阻值代表數字信號，憶阻器在計算機存儲領域應用前景廣泛。它使用單個元件就可以實現一組閃存電路的功能，并且耗能更少，速度更快。當把憶阻器與半導體電路混合時，可以大幅降低處理器芯片中用于存儲的晶體管數量，明顯降低成本。

發展歷程

2006年，惠普終于通過實驗證實了憶阻器的存在，并在2008年于自然雜志發表論文得到世界認可。在證明憶阻器存在后，惠普還在不斷推動這項技術的進步，包括2009年實現憶阻器電路堆疊，今年上半年又證實憶阻器可實現邏輯電路，即可以在存儲芯片中直接實施運算功能。根據今天簽訂的協議，雙方將共同研發憶阻器技術，爭取盡快讓使用該技術的ReRAM商品化。海力士將在自己的研發和生產制造中逐步應用憶阻器技術。

由于ReRAM屬于非易失性存儲設備，其最直接的應用就是替代閃存，擔當計算機以及各種消費電子設備中的長期存儲任務。甚至還可能成為通用性存儲介質，取代DRAM甚至硬盤的位置。

憶阻器存儲